Liten strøm MOSFET-holdekretsfremstillingsapplikasjon

En MOSFET-holdekrets som inkluderer motstander R1-R6, elektrolytiske kondensatorer C1-C3, kondensator C4, PNP triode VD1, dioder D1-D2, mellomrelé K1, en spenningskomparator, en integrert dual time base-brikke NE556 og en MOSFET Q1, med pin nr. 6 på den integrerte dual time base-brikken NE556 som fungerer som en signalinngang, og den ene enden av motstanden R1 kobles samtidig til pinne 6 på den integrerte dual-time base-brikken NE556 brukes som signalinngangen, den ene enden av motstanden R1 er koblet til pinne 14 på dual-time basen integrert brikke NE556, den ene enden av motstanden R2, den ene enden av motstanden R4, emitteren til PNP-transistoren VD1, avløpet til MOSFET Q1, og likestrømforsyningen, og den andre enden av motstanden R1 er koblet til pinne 1 på den dual-time base integrerte brikken NE556, pinne 2 på den dual-time base integrerte brikken NE556, den positive elektrolytiske kapasitansen til kondensatoren C1, og mellomrelé. K1 normalt lukket kontakt K1-1, den andre enden av mellomreléet K1 normalt lukket kontakt K1-1, den negative polen til elektrolytkondensatoren C1 og den ene enden av kondensatoren C3 er koblet til strømforsyningsjorden, den andre enden av kondensatoren C3 er koblet til pinne 3 på den integrerte dual-time base-brikken NE556, er pinn 4 på den dual-time base-integrerte brikken NE556 koblet til den positive polen til den elektrolytiske kondensatoren C2 og den andre enden av motstanden R2 samtidig, og den negative polen til den elektrolytiske kondensatoren C2 er koblet til strømforsyningens jord, og den negative polen til den elektrolytiske kondensatoren C2 er koblet til strømforsyningens jord . Den negative polen til C2 er koblet til strømforsyningsjorden, pinnen 5 til den integrerte dual time base-brikken NE556 er koblet til den ene enden av motstanden R3, den andre enden av motstanden R3 er koblet til den positive faseinngangen til spenningskomparatoren , den negative faseinngangen til spenningskomparatoren er koblet til den positive polen til dioden D1 og den andre enden av motstanden R4 samtidig, den negative polen til diode D1 er koblet til strømforsyningens jord, og utgangen fra spenningskomparatoren er koblet til enden av motstanden R5, den andre enden av motstanden R5 er koblet til PNP-tripleksen. Utgangen til spenningskomparatoren er koblet til den ene enden av motstanden R5, den andre enden av motstanden R5 er koblet til basen av PNP-transistoren VD1, kollektoren til PNP-transistoren VD1 er koblet til den positive polen til dioden D2, den negative polen til dioden D2 er koblet til enden av motstanden R6, enden av kondensatoren C4 og porten til MOSFET samtidig, den andre enden av motstanden R6, den andre enden av kondensatoren C4 og den andre enden av mellomreléet K1 er alle koblet til strømforsyningslandet og den andre enden av mellomreléet K1 er koblet til kilden til kilden tilMOSFET.

MOSFET-retensjonskrets, når A gir et lavt triggersignal, på dette tidspunktet med dobbeltidsbase integrert brikke NE556 sett, dobbel tidbase integrert brikke NE556 pin 5 utgang høyt nivå, høyt nivå inn i den positive faseinngangen til spenningskomparatoren, den negative faseinngang til spenningskomparatoren av motstanden R4 og dioden D1 for å gi en referansespenning, på dette tidspunktet gir spenningskomparatoren høyt nivå, det høye nivået for å få Triode VD1 til å lede, strømmen som strømmer fra kollektoren til triode VD1 lader kondensator C4 gjennom dioden D2, og samtidig leder MOSFET Q1, på dette tidspunktet absorberes spolen til mellomreléet K1, og mellomreléet K1. relé K1 normalt lukket kontakt K 1-1 kobles ut, og etter mellomrelé K1 normalt lukket kontakt K 1-1 er frakoblet, sørger DC-strømforsyningen til 1 og 2 fot av den dual-time base integrerte brikken NE556 at forsyningsspenningen er lagret til spenningen på pin 1 og pin 2 på dual-time base integrerte brikken NE556 er ladet til 2/3 av forsyningsspenningen, den dual-time base integrerte brikken NE556 tilbakestilles automatisk, og pin 5 på dual-time base integrert brikken NE556 gjenopprettes automatisk til et lavt nivå, og de påfølgende kretsene fungerer ikke, mens på dette tidspunktet utlades kondensatoren C4 for å opprettholde MOSFET Q1-ledningen til slutten av kapasitansen C4-utlading og det mellomliggende reléet K1-spoleutløsning, mellomrelé K1 normalt lukket kontakt K 11 lukket, på dette tidspunktet gjennom det lukkede mellomreléet K1 normalt lukket kontakt K 1-1 vil være dual time base integrert brikke NE556 1 fot og 2 fot av spenningsfrigjøring av, for neste gang til dual time base integrert brikke NE556 pin 6 for å gi et lavt triggersignal for å gjøre dual time base integrert brikke NE556 sett å forberede.

Kretsstrukturen til denne applikasjonen er enkel og ny, når den doble tidsbase integrerte brikken NE556 pin 1 og pin 2 lader til 2/3 av forsyningsspenningen, kan dual time base integrert brikke NE556 tilbakestilles automatisk, dual time base integrert brikke NE556 pin 5 går automatisk tilbake til et lavt nivå, slik at de påfølgende kretsene ikke fungerer, slik at de automatisk stopper lading av kondensator C4, og etter stoppe ladingen av kondensatoren C4 vedlikeholdt av MOSFET Q1 ledende, kan denne applikasjonen kontinuerlig holdeMOSFETQ1 ledende i 3 sekunder.

Den inkluderer motstander R1-R6, elektrolytiske kondensatorer C1-C3, kondensator C4, PNP-transistor VD1, dioder D1-D2, mellomrelé K1, spenningskomparator, dual time base integrert brikke NE556 og MOSFET Q1, pin 6 på den doble tidsbasen integrert brikken NE556 brukes som signalinngang, og den ene enden av motstanden R1 er koblet til pinne 14 på den integrerte dual-time base-brikken NE556, motstand R2, pinne 14 på den dual-time base-integrerte brikken NE556 og pinne 14 på den dual-time base-integrerte brikken NE556, og motstand R2 er koblet til pinne 14 for den doble tiden base integrert brikke NE556. pinne 14 på den dual-time base integrerte brikken NE556, en ende av motstand R2, en ende av motstand R4, PNP transistor

Hva slags arbeidsprinsipp?

Når A gir et lavt triggersignal, vil det dual-time base integrerte brikken NE556 settet, dual-time base integrert brikke NE556 pin 5 gi ut høyt nivå, høyt nivå inn i den positive faseinngangen til spenningskomparatoren, den negative faseinngangen til spenningskomparator av motstanden R4 og dioden D1 for å gi referansespenningen, denne gangen, spenningskomparatorens utgang høyt nivå, det høye nivået til transistoren VD1 ledning, strømmer strømmen fra kollektoren til transistoren VD1 gjennom dioden D2 til kondensatoren C4 som lader, på dette tidspunktet, mellomreléet K1 spolesuging, mellomreléet K1 spolesuget. Strømmen som strømmer fra kollektoren til transistoren VD1 lades til kondensator C4 gjennom dioden D2, og samtidig,MOSFETQ1 leder, på dette tidspunktet suges spolen til mellomrelé K1, og mellomrelé K1 normalt lukket kontakt K 1-1 er frakoblet, og etter at mellomrelé K1 normalt lukket kontakt K 1-1 er frakoblet, vil strømmen forsyningsspenning levert av likestrømkilden til 1 og 2 fot av den doble tidsbase integrerte brikken NE556 lagres til Når spenningen på pinne 1 og pinne 2 på den dual-time base integrerte brikken NE556 lades til 2/3 av forsyningsspenningen, tilbakestilles den dual-time base integrerte brikken NE556 automatisk, og pin 5 på dual-time basen integrert brikke NE556 gjenopprettes automatisk til et lavt nivå, og de påfølgende kretsene fungerer ikke, og på dette tidspunktet utlades kondensatoren C4 for å opprettholde MOSFET Q1-ledningen til slutten av utladingen av kondensatoren C4, og spolen til mellomreléet K1 frigjøres, og mellomreléet K1 normalt lukket kontakt K 1-1 er frakoblet. Relé K1 normalt lukket kontakt K 1-1 lukket, denne gangen gjennom det lukkede mellomreléet K1 normalt lukket kontakt K 1-1 vil være dual-time base integrert brikke NE556 1 fot og 2 fot på spenningsutløseren, for neste gang til den dual-time base integrerte brikken NE556 pin 6 for å gi et triggersignal for å sette lavt, for å gjøre forberedelser for den dual-time base integrerte brikken NE556 sett.