Hva er driftsprinsippet til MOSFET?

MOSFET (FieldEffect Transistor abbreviation (FET)) tittelMOSFET. av et lite antall bærere for å delta i den termiske ledningsevnen, også kjent som multi-pol junction transistor. Den er kategorisert som en spenningskontrollert semi-superlederenhet. Eksisterende utgangsmotstand er høy (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), lavt støynivå, lavt strømforbruk, statisk rekkevidde, lett å integrere, ingen andre sammenbruddsfenomen, forsikringsoppgaven til det store havet og andre fordeler, har nå endret bipolar junction transistor og power junction transistor av de sterke samarbeidspartnerne.

MOSFET-egenskaper

For det første: MOSFET er en spenningsmastering enhet, den går gjennom VGS (gate source voltage) til master ID (drain DC);

Sekund:MOSFET sineutgangs-DC er veldig liten, så utgangsmotstanden er veldig stor.

Tre: den påføres noen få bærere for å lede varme, og dermed har den et bedre mål på stabilitet;

Fire: den består av en redusert bane for elektrisk reduksjon av små koeffisienter til å være mindre enn transistoren består av en redusert bane for elektrisk reduksjon av små koeffisienter;

For det femte: MOSFET anti-bestråling kraft;

Seks: fordi det ikke er noen defekt aktivitet av minoritetsspredningen forårsaket av spredte støypartikler, fordi støyen er lav.

MOSFET oppgaveprinsipp

MOSFEToppgaveprinsipp i en setning, det vil si "drain - source walk gjennom kanalen mellom ID, med elektroden og kanalen mellom pn konstruert til en revers bias elektrodespenning for å mestre ID". Mer nøyaktig, amplituden av ID over kretsen, det vil si kanalen tverrsnittsareal, er det ved pn-krysset mot-biased variasjon, forekomsten av utarming laget for å utvide variasjonen av mestring av årsaken. I det umettede havet med VGS=0 er utvidelsen av det indikerte overgangslaget ikke veldig stor fordi, i henhold til magnetfeltet til VDS lagt til mellom drenskilden, trekkes noen elektroner i kildehavet bort av drenet , dvs. det er en DC ID-aktivitet fra avløpet til kilden. Det moderate laget som ekspanderer fra porten til avløpet vil danne en blokkeringstype av hele kanalen, ID full. Referer til dette mønsteret som pinch-off. Dette symboliserer at overgangslaget hindrer hele kanalen, og det er ikke slik at DC er avskåret.

I overgangslaget, fordi det ikke er noen selvbevegelse av elektroner og hull, i den virkelige formen av de isolerende egenskapene til eksistensen av den generelle DC-strømmen er det vanskelig å bevege seg. Imidlertid, magnetfeltet mellom drain - kilden, i praksis, de to overgangslag kontakt avløp og gate pol nede til venstre, fordi drift magnetiske felt trekker høyhastighets elektroner gjennom overgangen laget. Fordi styrken til det magnetiske feltet avdrift rett og slett ikke endrer fylden til ID-scenen. For det andre endres VGS til negativ posisjon, slik at VGS = VGS (av), deretter endrer overgangslaget i stor grad formen til å dekke hele havet. Og magnetfeltet til VDS er i stor grad lagt til overgangslaget, det magnetiske feltet som trekker elektronet til driftposisjonen, så lenge som nær kildepolen til det svært korte alt, som er mer slik at likestrømseffekten ikke er i stand til å stagnere.