Hva er forskjellen mellom MOSFET og IGBT? Olukey vil svare på spørsmålene dine!

Som koblingselementer vises ofte MOSFET og IGBT i elektroniske kretser. De er også like i utseende og karakteristiske parametere. Jeg tror mange vil lure på hvorfor noen kretser trenger å bruke MOSFET, mens andre gjør det. IGBT?

Hva er forskjellen mellom dem? Neste,Olukeyvil svare på spørsmålene dine!

Hva er enMOSFET?

MOSFET, det fulle kinesiske navnet er metall-oksid halvleder felteffekt transistor. Fordi porten til denne felteffekttransistoren er isolert av et isolerende lag, kalles den også en isolert portfelteffekttransistor. MOSFET kan deles inn i to typer: "N-type" og "P-type" i henhold til polariteten til dens "kanal" (arbeidsbærer), vanligvis også kalt N MOSFET og P MOSFET.

Selve MOSFET-en har sin egen parasittiske diode, som brukes for å forhindre at MOSFET-en brenner ut når VDD er overspenning. For før overspenningen forårsaker skade på MOSFET, bryter dioden omvendt først og leder den store strømmen til bakken, og forhindrer dermed at MOSFET blir utbrent.

Hva er IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) er en sammensatt halvlederenhet som består av en transistor og en MOSFET.

Kretssymbolene til IGBT er ikke forent ennå. Når du tegner det skjematiske diagrammet, er symbolene for triode og MOSFET vanligvis lånt. På dette tidspunktet kan du vurdere om det er IGBT eller MOSFET fra modellen merket på skjemaet.

Samtidig bør du også være oppmerksom på om IGBT har en kroppsdiode. Hvis det ikke er merket på bildet, betyr det ikke at det ikke eksisterer. Med mindre de offisielle dataene spesifikt sier noe annet, er denne dioden til stede. Kroppsdioden inne i IGBT er ikke parasittisk, men er spesielt satt opp for å beskytte den skjøre reversmotstandsspenningen til IGBT. Den kalles også FWD (frihjulsdiode).

Den interne strukturen til de to er forskjellig

De tre polene til MOSFET er source (S), drain (D) og gate (G).

De tre polene til IGBT er kollektor (C), emitter (E) og port (G).

En IGBT er konstruert ved å legge til et ekstra lag til avløpet til en MOSFET. Deres interne struktur er som følger:

Grunnleggende struktur av MOSFET og IGBT

Bruksfeltene til de to er forskjellige

De interne strukturene til MOSFET og IGBT er forskjellige, noe som bestemmer applikasjonsfeltene deres.

På grunn av strukturen til MOSFET kan den vanligvis oppnå en stor strøm, som kan nå KA, men forutsetningen for spenningsmotstand er ikke like sterk som IGBT. De viktigste bruksområdene er bytte av strømforsyninger, ballaster, høyfrekvent induksjonsoppvarming, høyfrekvente inverter sveisemaskiner, kommunikasjonsstrømforsyninger og andre høyfrekvente strømforsyningsfelt.

IGBT kan produsere mye strøm, strøm og spenning, men frekvensen er ikke for høy. For øyeblikket kan den harde byttehastigheten til IGBT nå 100KHZ. IGBT er mye brukt i sveisemaskiner, vekselrettere, frekvensomformere, elektroplettering av elektrolytiske strømforsyninger, ultralyd induksjonsoppvarming og andre felt.

Hovedtrekk ved MOSFET og IGBT

MOSFET har egenskapene til høy inngangsimpedans, rask byttehastighet, god termisk stabilitet, spenningskontrollstrøm, etc. I kretsen kan den brukes som forsterker, elektronisk bryter og andre formål.

Som en ny type elektronisk halvlederenhet har IGBT egenskapene høy inngangsimpedans, lavspenningskontrollstrømforbruk, enkel kontrollkrets, høyspenningsmotstand og stor strømtoleranse, og har blitt mye brukt i forskjellige elektroniske kretser.

Den ideelle ekvivalente kretsen til IGBT er vist i figuren nedenfor. IGBT er faktisk en kombinasjon av MOSFET og transistor. MOSFET har ulempen med høy på-motstand, men IGBT overvinner denne mangelen. IGBT har fortsatt lav på-motstand ved høy spenning. .

Generelt er fordelen med MOSFET at den har gode høyfrekvente egenskaper og kan operere med en frekvens på hundrevis av kHz og opptil MHz. Ulempen er at på-motstanden er stor og strømforbruket er stort i høyspennings- og høystrømssituasjoner. IGBT yter godt i situasjoner med lav frekvens og høy effekt, med liten på-motstand og høy motstandsspenning.

Velg MOSFET eller IGBT

I kretsen er om man skal velge MOSFET som strømbryterrør eller IGBT et spørsmål som ingeniører ofte møter. Hvis faktorer som spenning, strøm og koblingskraft til systemet tas i betraktning, kan følgende punkter oppsummeres:

Folk spør ofte: "Er MOSFET eller IGBT bedre?" Faktisk er det ingen god eller dårlig forskjell mellom de to. Det viktigste er å se den faktiske anvendelsen.

Hvis du fortsatt har spørsmål om forskjellen mellom MOSFET og IGBT, kan du kontakte Olukey for detaljer.

Olukey distribuerer hovedsakelig WINSOK mellom- og lavspennings-MOSFET-produkter. Produktene er mye brukt i militærindustrien, LED/LCD-drivertavler, motordriverbrett, hurtiglading, elektroniske sigaretter, LCD-skjermer, strømforsyninger, små husholdningsapparater, medisinske produkter og Bluetooth-produkter. Elektroniske vekter, kjøretøyelektronikk, nettverksprodukter, husholdningsapparater, periferiutstyr til datamaskiner og ulike digitale produkter.