Hva kan jeg gjøre for å fikse min MOSFET som varmes opp dårlig?

Strømforsyningskretser, eller strømforsyningskretser innen fremdrift, bruker uunngåeligMOSFET-er, som er av mange typer og har mange funksjoner. For å bytte strømforsyning eller fremdriftsapplikasjoner er det naturlig å bruke koblingsfunksjonen.

Uavhengig av N-type eller P-typeMOSFET, prinsippet er i hovedsak det samme, MOSFET legges til porten til koblingsenden av strømmen for å regulere utgangssiden av dreneringsstrømmen, MOSFET er en spenningskontrollert enhet den er basert på strømmen lagt til porten på manipulering av enhetens egenskaper, er ikke tilbøyelig til å bytte som en transistor på grunn av grunnstrøm forårsaket av den positive ladningslagringseffekten, og derfor, i bytteapplikasjonen, MOSFET-svitsjehastigheten skal være raskere enn transistoren. Byttehastigheten bør være raskere enn trioden.

MOSFETsmåstrøms oppvarming årsaker

1, er kretsprinsippet for problemet å la MOSFET arbeide i lineær driftstilstand, snarere enn i svitsjesituasjonen. Dette er også en årsak til MOSFET-varme. Hvis N-MOS-svitsjingen, G-nivå driftsspenning enn bryterstrømforsyningen noen V, for å være helt på og av, er P-MOS omvendt. Ikke helt på og tapet er for stort, noe som resulterer i tap av utgangseffekt, den ekvivalente kretsens DC karakteristiske impedans er større, tapet utvides, så U * I utvides også, utarming representerer varme. Dette er også den mest unngåtte kontrollkretsen for feil designprogram.

2, frekvensen er for høy, hovedsakelig noen ganger for mye jakten på perfekt volum, noe som resulterer i frekvensforbedring, MOSFET på utvidelse av forbruket, slik at varmen også økte.

3, gjorde ikke tilstrekkelig varme ekskludering design program, strømmen er for høy, MOSFET toleranse gjeldende verdi, generelt må opprettholde god varme ekskludering kan gjøres. Derfor er ID lavere enn den høyere strømmen, det er også sannsynlig å varme mer alvorlig, må være tilstrekkelig til å hjelpe kjøleribben.

4, MOSFET-modellvalget er ikke riktig, utgangseffekten er ikke korrekt, MOSFET-motstanden tas ikke i betraktning, noe som resulterer i utvidelse av svitsjkarakteristisk impedans.

MOSFET liten strøm oppvarming er mer alvorlig hvordan å løse?