Hva er bruken av MOSFET-er?

MOSFET-erer mye brukt. Nå noen storskala integrerte kretser er brukt MOSFET, den grunnleggende funksjonen og BJT transistor, er svitsjing og forsterkning. I utgangspunktet kan BJT-trioden brukes der den kan brukes, og noen steder er ytelsen bedre enn trioden.

Amplifikasjon av MOSFET

MOSFET og BJT triode, selv om begge halvlederforsterker enhet, men flere fordeler enn triode, for eksempel høy inngangsmotstand, signalkilden nesten ingen strøm, noe som bidrar til stabiliteten til inngangssignalet. Det er en ideell enhet som inngangstrinnforsterker, og har også fordelene med lav støy og god temperaturstabilitet. Den brukes ofte som en forforsterker for lydforsterkningskretser. Men fordi det er en spenningskontrollert strømenhet, styres dreneringsstrømmen av spenningen mellom portkilden, forsterkningskoeffisienten for lavfrekvent transkonduktans er generelt ikke stor, så forsterkningsevnen er dårlig.

Bytteeffekt av MOSFET

MOSFET brukt som en elektronisk bryter, på grunn av kun å stole på polyonledningsevne, er det ingen slik som BJT-triode på grunn av basisstrømmen og ladelagringseffekten, så byttehastigheten til MOSFET er raskere enn trioden, som et bytterør brukes ofte til høyfrekvente høystrømtilfeller, for eksempel bytte av strømforsyninger som brukes i MOSFET i den høyfrekvente høystrømstilstanden til arbeidet. Sammenlignet med BJT-triodebrytere, kan MOSFET-brytere operere med mindre spenninger og strømmer, og er lettere å integrere på silisiumskiver, så de er mye brukt i storskala integrerte kretser.

Hva er forholdsregler ved brukMOSFET-er?

MOSFET-er er mer delikate enn trioder og kan lett bli skadet ved feil bruk, så spesiell forsiktighet bør utvises når du bruker dem.

(1) Det er nødvendig å velge riktig type MOSFET for ulike brukssituasjoner.

(2) MOSFET-er, spesielt MOSFET-er med isolert port, har høy inngangsimpedans, og bør kortsluttes til hver elektrode når den ikke er i bruk for å unngå skade på røret på grunn av portinduktansladning.

(3) Gatekildespenningen til MOSFET-er kan ikke reverseres, men kan lagres i åpen kretstilstand.

(4) For å opprettholde den høye inngangsimpedansen til MOSFET, bør røret beskyttes mot fuktighet og holdes tørt i bruksmiljøet.

(5) Ladede gjenstander (som loddebolt, testinstrumenter osv.) i kontakt med MOSFET må jordes for å unngå skade på røret. Spesielt ved sveising av isolert gate MOSFET, i henhold til kilden - gate sekvensiell rekkefølge av sveising, er det best å sveise etter strøm av. Effekten til loddebolten til 15 ~ 30W er passende, en sveisetid bør ikke overstige 10 sekunder.

(6) isolert gate MOSFET kan ikke testes med et multimeter, kan bare testes med en tester, og bare etter tilgang til testeren for å fjerne kortslutningsledningen til elektrodene. Når de fjernes, er det nødvendig å kortslutte elektrodene før de fjernes for å unngå portoverheng.

(7) Ved brukMOSFET-ermed substratledninger bør substratledningene være riktig tilkoblet.