Hva er de fire regionene i en MOSFET?

De fire regionene i en N-kanals forbedrings MOSFET

(1) Variabel motstandsregion (også kalt umettet region)

Ucs" Ucs (th) (tenn-på spenning), uDs" UGs-Ucs (th), er området til venstre for den forhåndsklemte kurven i figuren der kanalen er slått på. Verdien av UD-er er liten i denne regionen, og kanalmotstanden styres i utgangspunktet kun av UG-er. Når uGs er sikker, ip og uDs inn i et lineært forhold, tilnærmes regionen som et sett med rette linjer. På dette tidspunktet er felteffektrøret D, S mellom ekvivalenten til en spenning UGS

Styres av spenningen UGS variabel motstand.

(2) konstantstrømregion (også kjent som metningsregion, forsterkerregion, aktiv region)

Ucs ≥ Ucs (h) og Ubs ≥ UcsUssth), for figuren til høyre side av pre-pinch off-sporet, men ennå ikke brutt ned i regionen, i regionen, når uG-ene må være, ib nesten ikke endre med UDs, er en konstant-strøm egenskaper. i styres kun av UG-ene, så er MOSFETD, S ekvivalent med en spennings-uGs-kontroll av strømkilden. MOSFET brukes i forsterkningskretser, generelt på arbeidet til MOSFET D, S er ekvivalent med en spenning uGs-kontrollstrømkilde. MOSFET som brukes i forsterkerkretser, fungerer vanligvis i regionen, så også kjent som forsterkerområdet.

(3) Avskjæringsområde (også kalt avskjæringsområde)

Clip-off område (også kjent som cut-off area) for å møte ucs "Ues (th) for figuren nær den horisontale aksen av regionen, kanalen er helt klemt av, kjent som full clip off, io = 0 , røret virker ikke.

(4) sammenbrudd sone plassering

Nedbrytingsregionen er plassert i regionen på høyre side av figuren. Med de økende UD-ene blir PN-krysset utsatt for for mye reversspenning og sammenbrudd, ip øker kraftig. Røret bør betjenes for å unngå å operere i sammenbruddsområdet. Overføringskarakteristikken kan utledes fra utgangskarakteristikken. På metoden brukt som en graf for å finne. For eksempel, i figur 3 (a) for Ubs = 6V vertikal linje, dens skjæringspunkt med de forskjellige kurvene som tilsvarer i, Us-verdiene i ib- Uss-koordinatene koblet til kurven, det vil si for å oppnå overføringskarakteristikken.

Parametre forMOSFET

Det er mange parametere for MOSFET, inkludert DC-parametere, AC-parametere og grenseparametere, men bare følgende hovedparametere må tas i betraktning ved vanlig bruk: mettet dren-kildestrøm IDSS pinch-off spenning Opp, (rør av koblingstype og utarming -type isolerte gate-rør, eller slå-på-spenning UT (armert isolert-gate-rør), transkonduktans gm, lekkasje-kilde-nedbrytningsspenning BUDS, maksimalt avledet effekt PDSM og maksimal drain-source strøm IDSM .

(1) Mettet avløpsstrøm

Den mettede dreneringsstrømmen IDSS er dreneringsstrømmen i en isolert gate MOSFET av overgangs- eller utarmingstype når gatespenningen UGS = 0.

(2) Clip-off spenning

Pinch-off-spenningen UP er gatespenningen i en MOSFET med isolert port av junction-type eller depletion-type som nettopp skjærer av mellom avløpet og kilden. Som vist i 4-25 for N-kanalrøret UGS kan en ID-kurve forstås for å se betydningen av IDSS og UP

MOSFET fire regioner

(3) Slå på spenning

Turn-on spenningen UT er portspenningen i en forsterket isolert-gate MOSFET som gjør inter-drain-kilden bare ledende.

(4) Transkonduktans

Transkonduktansen gm er styringsevnen til portkildespenningen UGS på drainstrøm-ID, dvs. forholdet mellom endringen i drainstrøm-ID og endringen i portkildespenningen UGS. 9m er en viktig parameter som veier forsterkningsevnen tilMOSFET.

(5) Drain source sammenbruddsspenning

Drain source breakdown spenning BUDS refererer til gate source spenningen UGS viss, MOSFET normal drift kan akseptere den maksimale dren source spenningen. Dette er en grenseparameter, lagt til MOSFET-driftsspenningen må være mindre enn BUDS.

(6) Maksimal effekttap

Maksimal effekttap PDSM er også en grenseparameter, refererer tilMOSFETytelsen forringes ikke når den maksimalt tillatte lekkasjekildens effekttap. Ved bruk av MOSFET bør det praktiske strømforbruket være mindre enn PDSM og gi en viss margin.

(7) Maksimal dreneringsstrøm

Maksimal lekkasjestrøm IDSM er en annen grenseparameter, refererer til normal drift av MOSFET, lekkasjekilden til den maksimale strømmen tillatt å passere gjennom MOSFETs driftsstrøm bør ikke overstige IDSM.

MOSFET-driftsprinsipp

Driftsprinsippet til MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) er å bruke VGS til å kontrollere mengden "induktiv ladning", for å endre tilstanden til den ledende kanalen dannet av disse "induktive ladningene", og deretter for å oppnå formålet å kontrollere avløpsstrømmen. Hensikten er å kontrollere avløpsstrømmen. Ved produksjon av rør, gjennom prosessen med å lage et stort antall positive ioner i det isolerende laget, så i den andre siden av grensesnittet kan induseres flere negative ladninger, disse negative ladningene kan induseres.

Når portspenningen endres, endres også mengden ladning som induseres i kanalen, bredden på den ledende kanalen endres også, og dermed endres dreneringsstrømmens ID med portspenningen.

MOSFET rolle

I. MOSFET kan brukes til forsterkning. På grunn av den høye inngangsimpedansen til MOSFET-forsterkeren, kan koblingskondensatoren ha mindre kapasitet, uten bruk av elektrolytiske kondensatorer.

For det andre er den høye inngangsimpedansen til MOSFET veldig egnet for impedanskonvertering. Vanligvis brukt i flertrinns forsterkerinngangstrinn for impedanskonvertering.

MOSFET kan brukes som en variabel motstand.

For det fjerde kan MOSFET enkelt brukes som en konstantstrømkilde.

For det femte kan MOSFET brukes som en elektronisk bryter.