Forskjellen mellom N-kanal MOSFET og P-kanal MOSFET! Hjelp deg å velge MOSFET-produsenter bedre!

Kretsdesignere må ha vurdert et spørsmål ved valg av MOSFETer: Skal de velge P-kanal MOSFET eller N-kanal MOSFET? Som produsent må du ønske at produktene dine skal konkurrere med andre forhandlere til lavere priser, og du må også gjøre gjentatte sammenligninger. Så hvordan velge? OLUKEY, en MOSFET-produsent med 20 års erfaring, vil gjerne dele med deg.

Forskjell 1: ledningsegenskaper

Egenskapene til N-kanal MOS er at den vil slå seg på når Vgs er større enn en viss verdi. Den er egnet for bruk når kilden er jordet (low-end drive), så lenge portspenningen når 4V eller 10V. Når det gjelder egenskapene til P-kanal MOS, vil den slå seg på når Vgs er mindre enn en viss verdi, noe som er egnet for situasjoner når kilden er koblet til VCC (high-end drive).

Forskjellen 2:MOSFETbyttetap

Enten det er N-kanal MOS eller P-kanal MOS, er det en på-motstand etter at den er slått på, så strømmen vil forbruke energi på denne motstanden. Denne delen av energien som forbrukes kalles ledningstap. Å velge en MOSFET med en liten på-motstand vil redusere ledningstapet, og på-motstanden til nåværende MOSFET-er med lav effekt er vanligvis rundt titalls milliohm, og det er også flere milliohm. I tillegg, når MOS er slått på og av, må det ikke fullføres umiddelbart. Det er en avtagende prosess, og den flytende strømmen har også en økende prosess.

I løpet av denne perioden er MOSFETs tap produktet av spenning og strøm, kalt svitsjetap. Vanligvis er koblingstap mye større enn ledningstap, og jo høyere koblingsfrekvens, desto større tap. Produktet av spenningen og strømmen i ledningsøyeblikket er veldig stort, og tapet som forårsakes er også veldig stort, så å forkorte koblingstiden reduserer tapet under hver ledning; reduksjon av byttefrekvensen kan redusere antall brytere per tidsenhet.

Forskjellen tre: MOSFET-bruk

Hullmobiliteten til P-kanal MOSFET er lav, så når den geometriske størrelsen til MOSFET og den absolutte verdien av driftsspenningen er like, er transkonduktansen til P-kanal MOSFET mindre enn for N-kanal MOSFET. I tillegg er den absolutte verdien av terskelspenningen til P-kanal MOSFET relativt høy, noe som krever en høyere driftsspenning. P-kanal MOS har en stor logisk svingning, en lang lade- og utladingsprosess og en liten enhetstranskonduktans, slik at driftshastigheten er lavere. Etter fremveksten av N-kanal MOSFET, har de fleste av dem blitt erstattet av N-kanal MOSFET. Men fordi P-kanal MOSFET har en enkel prosess og er billig, bruker enkelte mellomstore og små digitale kontrollkretser fortsatt PMOS-kretsteknologi.

Ok, det var alt for dagens deling fra OLUKEY, en MOSFET-produsent av emballasje. For mer informasjon finner du oss påOLUKEYoffisiell nettside. OLUKEY har fokusert på MOSFET i 20 år og har hovedkontor i Shenzhen, Guangdong-provinsen, Kina. Hovedsakelig engasjert i høystrømsfelteffekttransistorer, høyeffekts MOSFET-er, MOSFET-er med stor pakke, MOSFET-er med liten spenning, MOSFET-er med liten pakke, MOSFET-er med liten strøm, MOS-felteffektrør, pakkede MOSFET-er, strøm-MOS, MOSFET-pakker, originale MOSFET-er, pakkede MOSFET-er, etc. Hovedagentproduktet er WINSOK.