Produksjonsmetode for MOSFET-drivkrets med høy effekt

Det er to hovedløsninger:

Den ene er å bruke en dedikert driverbrikke for å drive MOSFET, eller bruk av raske fotokoblere, transistorer utgjør en krets for å drive MOSFET, men den første typen tilnærming krever tilveiebringelse av en uavhengig strømforsyning; den andre typen pulstransformator for å drive MOSFET, og i pulsdrivkretsen, hvordan man kan forbedre svitsjefrekvensen til drivkretsen for å øke kjørekapasiteten så langt som mulig for å redusere antall komponenter, er det presserende behovet å løseaktuelle problemer.

Den første typen drivsystem, halvbro krever to uavhengige strømforsyninger; full-bro krever tre uavhengige strømforsyninger, både halv-bro og full-bro, for mange komponenter, ikke bidrar til kostnadsreduksjon.

Den andre typen kjøreprogram, og patentet er den nærmeste kjente teknikk for oppfinnelsesnavnet "en høyeffektMOSFET drive circuit" patent (søknadsnummer 200720309534. 8), patentet bare legge til en utladningsmotstand for å frigjøre portkilden til høyeffekts MOSFET-lading, for å oppnå hensikten med å slå av, er den fallende kanten av PWM-signalet stor. fallende kant av PWM-signalet er stort, noe som vil føre til langsom avstenging av MOSFET, strømtapet er veldig stort;

I tillegg er patentprogrammet MOSFET-arbeid utsatt for interferens, og PWM-kontrollbrikken må ha en stor utgangseffekt, noe som gjør at brikketemperaturen er høy, noe som påvirker levetiden til brikken. Oppfinnelsens innhold Formålet med denne bruksmodellen er å gi en MOSFET-drivkrets med høy effekt, arbeide mer stabil og null for å oppnå formålet med denne tekniske løsningen for bruksmodelloppfinnelsen - en MOSFET-drivkrets med høy effekt, signalutgangen til PWM-kontrollbrikken er koblet til den primære pulstransformatoren første utgang oHvis den sekundære pulstransformatoren er koblet til den første MOSFET-porten, er den andre utgangen til den sekundære pulstransformatoren koblet til den første MOSFET-porten, den andre utgangen til den sekundære pulstransformatoren er koblet til den første MOSFET-porten. Den første utgangen til pulstransformatorens sekundære er koblet til porten til den første MOSFET, den andre utgangen til pulstransformatoren sekundær er koblet til porten til den andre MOSFET, karakterisert ved at den første utgangen til pulstransformatorens sekundære også er koblet til til den første utladningstransistoren, og den andre utgangen til pulstransformatorens sekundære er også koblet til den andre utladningstransistoren. Primærsiden av pulstransformatoren er også koblet til en energilagrings- og frigjøringskrets.

Energilagringsfrigjøringskretsen inkluderer en motstand, en kondensator og en diode, motstanden og kondensatoren er koblet parallelt, og den nevnte parallellkretsen er koblet i serie med dioden. Bruksmodellen har en gunstig effekt Bruksmodellen har også en første utladningstransistor koblet til den første utgangen på transformatorsekundæren, og en andre utladningstransistor koblet til den andre utgangen på pulstransformatoren, slik at når pulstransformatoren gir ut en lav nivå, kan den første MOSFET og den andre MOSFET raskt utlades for å forbedre avstengningshastigheten til MOSFET, og for å redusere MOSFET-tapet. Signalet til PWM-kontrollen brikken kobles til signalforsterkningen MOSFET mellom primærutgangen og pulstransformatorens primære, som kan brukes til signalforsterkning. Signalutgangen til PWM-kontrollbrikken og den primære pulstransformatoren er koblet til en MOSFET for signalforsterkning, noe som ytterligere kan forbedre drivevnen til PWM-signalet.

Den primære pulstransformatoren er også koblet til en energilagringsfrigjøringskrets, når PWM-signalet er på et lavt nivå, frigjør energilagringsfrigjøringskretsen den lagrede energien i pulstransformatoren når PWM er på et høyt nivå, og sikrer at porten kilden til den første MOSFET og den andre MOSFET er ekstremt lav, noe som spiller en rolle i å forhindre interferens.

I en spesifikk implementering er en laveffekt MOSFET Q1 for signalforsterkning koblet mellom signalutgangsterminalen A på PWM-kontrollbrikken og primæren til pulstransformatoren Tl, den første utgangsterminalen til sekundæren til pulstransformatoren er koblet til porten til den første MOSFET Q4 via dioden D1 og drivmotstanden Rl, den andre utgangsterminalen til sekundæren til pulstransformatoren er koblet til porten til den andre MOSFET Q5 via dioden D2 og drivmotstanden R2, og den første utgangsterminalen til sekundæren til pulstransformatoren er også koblet til den første tømmetrioden Q2, og den andre tømmetrioden Q3 er også koblet til den andre tømmetrioden Q3. MOSFET Q5, den første utgangsterminalen til sekundærpulstransformatoren er også koblet til en første dreneringstransistor Q2, og den andre utgangsterminalen til sekundærpulstransformatoren er også koblet til en andre draintransistor Q3.

Porten til den første MOSFET Q4 er koblet til en dreneringsmotstand R3, og porten til den andre MOSFET Q5 er koblet til en dreneringsmotstand R4. primæren til pulstransformatoren Tl er også koblet til en energilagrings- og frigjøringskrets, og energilagrings- og frigjøringskretsen inkluderer en motstand R5, en kondensator Cl og en diode D3, og motstanden R5 og kondensatoren Cl er koblet i parallell, og den nevnte parallellkretsen er koblet i serie med dioden D3. PWM-signalet fra PWM-kontrollbrikken er koblet til laveffekt MOSFET Q2, og laveffekt MOSFET Q2 er koblet til sekundæren til pulstransformatoren. forsterkes av laveffekt MOSFET Ql og sendes ut til primæren til pulstransformatoren Tl. Når PWM-signalet er høyt, sender den første utgangsterminalen og den andre utgangsterminalen til sekundæren til pulstransformatoren Tl ut høynivåsignaler for å drive den første MOSFET Q4 og den andre MOSFET Q5 til å lede.

Når PWM-signalet er lavt, vil den første utgangen og den andre utgangen til pulstransformatoren Tl sekundære utgangssignaler på lavt nivå, den første drain-transistoren Q2 og den andre drain-transistoren Q3 leder, den første MOSFETQ4-portkildekapasitansen gjennom drain-motstanden R3, den første dreneringstransistoren Q2 for utladning, den andre MOSFETQ5-gatekildekapasitansen gjennom dreneringsmotstanden R4, den andre dreneringstransistor Q3 for utladning, den andre MOSFETQ5-gatekildekapasitansen gjennom drainmotstanden R4, den andre draintransistoren Q3 for utladning, den andre MOSFETQ5-gatekildekapasitansen gjennom drainmotstanden R4, den andre draintransistoren Q3 for utladning. Den andre MOSFETQ5-portkildekapasitansen utlades gjennom dreneringsmotstanden R4 og den andre dreneringstransistoren Q3, slik at den første MOSFET Q4 og den andre MOSFET Q5 kan slås av raskere og effekttapet kan reduseres.

Når PWM-signalet er lavt, frigjør den lagrede energifrigjøringskretsen sammensatt av motstand R5, kondensator Cl og diode D3 den lagrede energien i pulstransformatoren når PWM er høy, og sikrer at portkilden til den første MOSFET Q4 og den andre MOSFET Q5 er ekstremt lav, noe som tjener formålet med anti-interferens. Diode Dl og diode D2 leder utgangsstrømmen ensrettet, og sikrer dermed kvaliteten på PWM-bølgeformen, og samtidig spiller den også rollen som anti-interferens til en viss grad.