Om høyeffekt MOSFET har vært en av ingeniørene som er opptatt av å diskutere emnet, så vi har organisert den vanlige og uvanlige kunnskapen omMOSFET, håper jeg å hjelpe ingeniører. La oss snakke om MOSFET, en veldig viktig komponent!
Antistatisk beskyttelse
Høyeffekt MOSFET er et isolert portfelteffektrør, porten er ingen likestrømskrets, inngangsimpedansen er ekstremt høy, det er veldig lett å forårsake statisk ladningaggregering, noe som resulterer i en høy spenning vil være porten og kilden til isolasjonslaget mellom nedbrytningen.
Mesteparten av den tidlige produksjonen av MOSFET-er har ikke antistatiske tiltak, så vær veldig forsiktig i oppbevaring og bruk, spesielt de mindre strøm-MOSFET-ene, på grunn av den mindre effekt-MOSFET-inngangskapasitansen er relativt liten, når de utsettes for statisk elektrisitet genererer en høyere spenning, lett forårsaket av elektrostatisk sammenbrudd.
Den nylige forbedringen av høyeffekts MOSFET er en relativt stor forskjell, først av alt, på grunn av funksjonen til en større inngangskapasitans er også større, slik at kontakt med statisk elektrisitet har en ladeprosess, noe som resulterer i en mindre spenning, som forårsaker sammenbrudd av muligheten for mindre, og så igjen, nå høyeffekt MOSFET i den interne porten og kilden til porten og kilden til en beskyttet regulator DZ, den statiske innebygde beskyttelsen av regulatoren diode spenningsregulator verdi Nedenfor, effektivt beskytte porten og kilden til det isolerende laget, forskjellig effekt, forskjellige modeller av MOSFET-beskyttelsesregulator diodespenningsregulatorverdien er forskjellig.
Selv om MOSFET interne beskyttelsestiltak med høy effekt, bør vi operere i samsvar med de antistatiske driftsprosedyrene, som kvalifisert vedlikeholdspersonell bør ha.
Deteksjon og utskifting
Ved reparasjon av fjernsyn og elektrisk utstyr, vil møte en rekke komponentskader,MOSFETer også blant dem, som er hvordan vedlikeholdspersonalet vårt bruker det ofte brukte multimeteret for å bestemme gode og dårlige, gode og dårlige MOSFET. I erstatning av MOSFET hvis det ikke er samme produsent og samme modell, hvordan erstatte problemet.
1, høyeffekt MOSFET-test:
Som et generelt elektrisk TV-reparasjonspersonell i måling av krystalltransistorer eller dioder, bruker vanligvis et vanlig multimeter for å bestemme de gode og dårlige transistorene eller diodene, selv om bedømmelsen av transistorens eller diodens elektriske parametere ikke kan bekreftes, men så lenge metoden er riktig for bekreftelse av krystalltransistorer "gode" og "dårlige" eller "dårlige" for bekreftelse av krystalltransistorer. "Dårlig" eller ikke noe problem. På samme måte kan MOSFET også være det
Å bruke multimeteret for å bestemme dens "gode" og "dårlige", fra det generelle vedlikeholdet, kan også møte behovene.
Deteksjon må bruke et multimeter av pekertype (digitalmåler er ikke egnet for måling av halvlederenheter). For strøm-type MOSFET-svitsjingsrør er N-kanalforbedring, produktene til produsentene bruker nesten alle samme TO-220F-pakkeform (refererer til svitsjingsstrømforsyningen for effekten på 50-200W til felteffektsvitsjerøret) , de tre elektrodearrangementet er også konsistent, det vil si de tre
Pinner ned, print modell vendt mot selvet, venstre pinne for porten, høyre testpinne for kilden, den midterste pinnen for avløpet.
(1) multimeter og relaterte preparater:
Først av alt, før målingen bør være i stand til å bruke multimeteret, spesielt bruken av ohm-gir, for å forstå at ohm-blokken vil være den riktige bruken av ohm-blokken for å måle krystalltransistoren ogMOSFET.
Med multimeter ohm blokk ohm senter skala kan ikke være for stor, fortrinnsvis mindre enn 12 Ω (500-type tabell for 12 Ω), slik at i R × 1 blokken kan ha en større strøm, for PN-krysset til forover kjennetegn ved dommen er mer nøyaktige. Multimeter R × 10K blokk internt batteri er best større enn 9V, slik at ved måling av PN-krysset er invers lekkasjestrøm mer nøyaktig, ellers kan lekkasjen ikke måles.
Nå på grunn av fremdriften i produksjonsprosessen, fabrikkscreeningen, testingen er veldig streng, vi bedømmer generelt så lenge dommen til MOSFET ikke lekker, ikke bryter gjennom kortslutningen, den interne ikke-kretsløpet, kan være forsterket underveis, er metoden ekstremt enkel:
Bruke en multimeter R × 10K blokk; R × 10K blokk internt batteri er generelt 9V pluss 1,5V til 10,5V denne spenningen er generelt bedømt til å være nok PN-krysset inversjonslekkasje, den røde pennen på multimeteret er negativt potensial (koblet til den negative polen på det interne batteriet), svart penn på multimeteret er positivt potensial (koblet til den positive polen på det interne batteriet).
(2) Testprosedyre:
Koble den røde pennen til kilden til MOSFET S; koble den svarte pennen til avløpet til MOSFET D. På dette tidspunktet skal nålindikasjonen være uendelig. Hvis det er en ohmsk indeks, som indikerer at røret som testes har et lekkasjefenomen, kan dette røret ikke brukes.
Opprettholde tilstanden ovenfor; på dette tidspunktet med en 100K ~ 200K motstand koblet til porten og avløpet; på dette tidspunktet skal nålen indikere antall ohm jo mindre jo bedre, kan generelt angis til 0 ohm, denne gangen er det en positiv ladning gjennom 100K motstanden på MOSFET-porten som lades, noe som resulterer i et elektrisk portfelt, pga. det elektriske feltet generert av den ledende kanalen som resulterer i avløp og kildeledning, så multimeternålens avbøyning, avbøyningsvinkelen er stor (Ohms indeks er liten) for å bevise at utladningsytelsen er god.
Og deretter koblet til motstanden fjernet, så skal multimeterpekeren fortsatt være MOSFET på indeksen forblir uendret. Selv om motstanden for å ta bort, men fordi motstanden til porten ladet av ladningen ikke forsvinner, fortsetter gate elektriske feltet å opprettholde den interne ledende kanalen fortsatt opprettholdes, som er egenskapene til den isolerte porten type MOSFET.
Hvis motstanden for å ta bort nålen vil sakte og gradvis gå tilbake til høy motstand eller til og med gå tilbake til uendelig, for å vurdere at den målte tube gate lekkasje.
På dette tidspunktet med en ledning, koblet til porten og kilden til røret som ble testet, returnerte multimeterets peker umiddelbart til det uendelige. Koblingen av ledningen slik at den målte MOSFET, portladningsfrigjøring, det indre elektriske feltet forsvinner; ledende kanal forsvinner også, slik at avløpet og kilden mellom motstanden og blir uendelig.
2, høy-effekt MOSFET erstatning
Ved reparasjon av fjernsyn og alle typer elektrisk utstyr, bør skader på komponenter erstattes med samme type komponenter. Men noen ganger er de samme komponentene ikke tilgjengelig, det er nødvendig å bruke andre typer erstatning, slik at vi må ta hensyn til alle aspekter av ytelse, parametere, dimensjoner, etc., for eksempel TV inne i linjeutgangsrøret, som så lenge hensynet til spenning, strøm, strøm generelt kan erstattes (linjeutgangsrøret har nesten samme dimensjoner som utseendet), og effekten har en tendens til å være større og bedre.
For MOSFET-erstatning, selv om det også er dette prinsippet, er det best å prototype det beste, spesielt ikke forfølge kraften til å bli større, fordi kraften er stor; inngangskapasitansen er stor, endret og eksitasjonskretser samsvarer ikke med eksitasjonen av ladestrømbegrensningsmotstanden til vanningskretsen av størrelsen på motstandsverdien og inngangskapasitansen til MOSFET er relatert til valget av kraften til stor til tross for kapasitet på stor, men inngangskapasitansen er også stor, og inngangskapasitansen er også stor, og strømmen er ikke stor.
Inngangskapasitansen er også stor, eksitasjonskretsen er ikke god, noe som igjen vil gjøre MOSFET av og på ytelsen dårligere. Viser utskifting av forskjellige modeller av MOSFET-er, tar hensyn til inngangskapasitansen til denne parameteren.
For eksempel er det en 42-tommers LCD-TV-bakgrunnsbelysning høyspentkort skade, etter å ha kontrollert den interne høyeffekt MOSFET-skaden, fordi det ikke er noen prototype nummer på utskifting, valget av en spenning, strøm, strøm er ikke mindre enn den originale MOSFET-erstatningen, resultatet er at bakgrunnsbelysningsrøret ser ut til å være et kontinuerlig flimmer (oppstartsvansker), og til slutt erstattet med samme type original for å løse problemet.
Oppdaget skade på høyeffekt-MOSFET-en, utskifting av dens perifere komponenter i perfusjonskretsen må også erstattes, fordi skaden på MOSFET også kan være dårlige perfusjonskretskomponenter forårsaket av skaden på MOSFET. Selv om selve MOSFET-en er skadet, i det øyeblikket MOSFET-en bryter sammen, blir også perfusjonskretskomponentene skadet og bør skiftes ut.
Akkurat som vi har mange smarte reparasjonsmestere i reparasjonen av A3-strømforsyningen; så lenge koblingsrøret er funnet å gå i stykker, er det også fronten på 2SC3807 eksitasjonsrøret sammen med erstatning av samme årsak (selv om 2SC3807-røret, målt med et multimeter er bra).
Innleggstid: 15. april 2024
