Dette er en pakketMOSFETpyroelektrisk infrarød sensor. Den rektangulære rammen er sensorvinduet. G-pinnen er jordingsterminalen, D-pinnen er det interne MOSFET-avløpet, og S-pinnen er den interne MOSFET-kilden. I kretsen er G koblet til jord, D er koblet til den positive strømforsyningen, infrarøde signaler kommer fra vinduet og elektriske signaler sendes ut fra S.
Domport G
MOS-driveren spiller hovedsakelig rollen som bølgeformforming og drivforbedring: Hvis G-signalbølgeformen tilMOSFETer ikke bratt nok, vil det føre til et stort strømtap under byttetrinnet. Bivirkningen er å redusere kretskonverteringseffektiviteten. MOSFET vil ha sterk feber og lett bli skadet av varme. Det er en viss kapasitans mellom MOSFETGS. , hvis G-signaldriftsevnen er utilstrekkelig, vil det alvorlig påvirke bølgeformens hopptid.
Kortslutt GS-polen, velg R×1-nivået på multimeteret, koble den svarte testledningen til S-polen og den røde testledningen til D-polen. Motstanden bør være noen få Ω til mer enn ti Ω. Hvis det blir funnet at motstanden til en bestemt pinne og dens to pinner er uendelig, og den fortsatt er uendelig etter utskifting av testledningene, bekreftes det at denne pinnen er G-polen, fordi den er isolert fra de to andre pinnene.
Bestem kilden S og drener D
Sett multimeteret til R×1k og mål motstanden mellom de tre pinnene henholdsvis. Bruk testledningsmetoden for å måle motstanden to ganger. Den med en lavere motstandsverdi (vanligvis noen få tusen Ω til mer enn ti tusen Ω) er forovermotstanden. På dette tidspunktet er den svarte testledningen S-polen og den røde testledningen er koblet til D-polen. På grunn av forskjellige testforhold er den målte RDS(on)-verdien høyere enn den typiske verdien gitt i håndboken.
OmMOSFET
Transistoren har N-type kanal, så den kalles N-kanalMOSFET, ellerNMOS. P-kanal MOS (PMOS) FET finnes også, som er en PMOSFET sammensatt av en lett dopet N-type BACKGATE og en P-type source and drain.
Uavhengig av N-type eller P-type MOSFET, er arbeidsprinsippet i hovedsak det samme. MOSFET kontrollerer strømmen ved dreneringen av utgangsterminalen med spenningen som påføres porten til inngangsterminalen. MOSFET er en spenningsstyrt enhet. Den kontrollerer egenskapene til enheten gjennom spenningen som påføres porten. Det forårsaker ikke ladelagringseffekten forårsaket av basisstrømmen når en transistor brukes til å bytte. Derfor, når du bytter applikasjoner,MOSFET-erbør bytte raskere enn transistorer.
FET har også fått navnet sitt fra det faktum at inngangen (kalt porten) påvirker strømmen som flyter gjennom transistoren ved å projisere et elektrisk felt på et isolerende lag. Faktisk flyter ingen strøm gjennom denne isolatoren, så GATE-strømmen til FET-røret er veldig liten.
Den vanligste FET-en bruker et tynt lag med silisiumdioksid som en isolator under GATE.
Denne typen transistorer kalles en metalloksydhalvledertransistor (MOS) transistor, eller metalloksydhalvlederfelteffekttransistor (MOSFET). Fordi MOSFET-er er mindre og mer strømeffektive, har de erstattet bipolare transistorer i mange applikasjoner.
Innleggstid: 10-november 2023
