MOSFET-erspille en rollei byttekretserer å kontrollere kretsen av og på og signalkonvertering.MOSFET-er kan grovt deles inn i to kategorier: N-kanal og P-kanal.
I N-kanalenMOSFETkrets, PIP-pinnen er høy for å aktivere summerresponsen, og lav for å slå av summeren.P-kanalMOSFETfor å kontrollere GPS-modulens strømforsyning av og på, GPS_PWR-pinne er lav når den er på, GPS-modulen er normal strømforsyning, og høy for å slå av GPS-modulen.
P-kanalMOSFETi N-type silisium substrat på P + regionen har to: drenering og kilde. Disse to polene er ikke ledende til hverandre, når det er nok positiv spenning lagt til kilden når den er jordet, vil N-type silisiumoverflaten under porten dukke opp som et P-type inverst lag, inn i en kanal som forbinder avløpet og kilden . Endring av spenningen ved porten endrer tettheten av hull i kanalen, og endrer dermed kanalmotstanden. Dette kalles en P-kanalforbedringsfelteffekttransistor.
NMOS-karakteristikk, Vgs så lenge større enn en viss verdi vil være på, gjeldende for kildejordet low-end drivhus, forutsatt at portspenningen på 4V eller 10V på linjen.
Egenskapene til PMOS, i motsetning til NMOS, vil slå på så lenge Vgs er mindre enn en viss verdi, og den er egnet for bruk i tilfelle av high end-stasjon når kilden er koblet til VCC. Men på grunn av det lille antallet erstatningstyper, høy motstand og høy pris, selv om PMOS kan brukes veldig praktisk når det gjelder high-end-stasjoner, så i high-end-stasjonen, bruk generelt fortsatt NMOS.
Totalt sett,MOSFET-erhar høy inngangsimpedans, letter direkte kobling i kretser, og er relativt enkle å fremstille til integrerte kretser i stor skala.
Innleggstid: 20. juli-2024
