Velg riktig MOSFET for kretsdriveren er en svært viktig del avMOSFET valget er ikke bra vil direkte påvirke effektiviteten til hele kretsen og kostnadene ved problemet, følgende sier vi en rimelig vinkel for MOSFET-utvalget.
1, N-kanal og P-kanal valg
(1), I vanlige kretser, når en MOSFET er jordet og lasten er koblet til trunkspenningen, utgjør MOSFET en lavspent sidebryter. I en lavspenningssidebryter bør en N-kanals MOSFET brukes, på grunn av hensynet til spenningen som kreves for å slå av eller på enheten.
(2), når MOSFET er koblet til bussen og lasten er jordet, skal en høyspent sidebryter brukes. P-kanalMOSFET-er brukes vanligvis i denne topologien, igjen av hensyn til spenningsdrift.
2, ønsker å velge riktigMOSFET, er det nødvendig å bestemme spenningen som kreves for å drive spenningsvurderingen, så vel som i utformingen av den enkleste måten å implementere. Når merkespenningen er større, vil enheten naturligvis kreve en høyere kostnad. For bærbare design er lavere spenninger mer vanlig, mens for industrielle design kreves høyere spenninger. Med referanse til praktisk erfaring, må merkespenningen være større enn trunk- eller bussspenningen. Dette vil gi tilstrekkelig sikkerhetsbeskyttelse slik at MOSFET ikke svikter.
3, etterfulgt av strukturen til kretsen, bør gjeldende vurdering være den maksimale strømmen som lasten tåler under alle omstendigheter, som også er basert på sikkerheten til de nødvendige aspektene å vurdere.
4. Til slutt bestemmes svitsjeytelsen til MOSFET. Det er mange parametere som påvirker bytteytelsen, men de viktigste er gate/drain, gate/source og drain/source kapasitans. Disse kapasitansene skaper koblingstap i enheten fordi de må lades under hver svitsj.
Innleggstid: 20. mai 2024
