Gjenkjenning av MOSFET-er med isolert lag

Isolasjonslag gate type MOSFET aliasMOSFET (heretter referert til som MOSFET), som har en kabelkappe av silisiumdioksid i midten av gatespenningen og source drain.

MOSFET er ogsåN-kanal og P-kanal to kategorier, men hver kategori er delt inn i forbedring og lys utarming type to, dermed er det totalt fire typer:N-kanalforbedring, P-kanalforbedring, N-kanal lysutarming, P-kanal lysutarmingstype. Men der gatekildespenningen er null, er avløpsstrømmen også null for røret med forbedret rør. Imidlertid, der gatekildespenningen er null, er dreneringsstrømmen ikke null, kategorisert som lysforbrukende rør.
Forbedret MOSFET-prinsipp:

Når du arbeider i midten av gatekilden ikke bruker spenningen, er midten av dreneringskildens PN-kryss i motsatt retning, så det vil ikke være noen ledende kanal, selv om midten av avløpskilden med en spenning, ledende grøft elektrisitet er stengt, er det ikke mulig å ha en arbeidsstrøm iht. Når midten av portkilden pluss positiv retningsspenning til en viss verdi, i midten av avløpskilden vil produsere en ledende sikkerhetskanal, slik at den ledende grøften nettopp produsert av denne portkildespenningen kalles åpen spenning VGS, større midten av gate kildespenningen, er den ledende grøften bredere, som igjen gjør gjennom jo større strømmen av elektrisitet.

Prinsippet for lysdissipativ MOSFET:

I drift brukes ingen spenning i midten av gatekilden, i motsetning til forbedringstypen MOSFET, og det eksisterer en ledende kanal i midten av drenskilden, så det legges bare en positiv spenning til midten av drenskilden, som resulterer i en avløpsstrøm. Videre, portkilden i midten av den positive retningen til spenningen, den ledende kanalutvidelsen, legg til den motsatte retningen av spenningen, den ledende kanalen krymper, gjennom strømmen av elektrisitet vil bli mindre, med forbedring av MOSFET-sammenligning, det kan også være i det positive og negative tallet for et visst antall regioner innenfor den ledende kanalen.

MOSFET-effekt:

For det første brukes MOSFET-er til å forstørre. Fordi inngangsmotstanden til MOSFET-forsterkeren er veldig høy, kan filterkondensatoren være mindre, uten behov for å bruke elektrolytiske kondensatorer.

For det andre er MOSFET svært høy inngangsmotstand spesielt egnet for den karakteristiske impedanskonverteringen. Vanligvis brukt i flernivåforsterkerinngangstrinn for karakteristisk impedanskonvertering.

MOSFET kan brukes som justerbar motstand.

For det fjerde kan MOSFET være praktisk som en likestrømforsyning.

V. MOSFET kan brukes som et koblingselement.