Metall-oksid-halvlederstrukturen til krystalltransistoren kjent somMOSFET, hvor MOSFET-er er delt inn i P-type MOSFET-er og N-type MOSFET-er. De integrerte kretsene sammensatt av MOSFET-er kalles også MOSFET-integrerte kretser, og de nært beslektede MOSFET-integrerte kretsene sammensatt av PMOSFET-er ogNMOSFET-er kalles CMOSFET integrerte kretser.
En MOSFET som består av et p-type substrat og to n-spredningsområder med høye konsentrasjonsverdier kalles en n-kanalMOSFET, og den ledende kanalen forårsaket av en n-type ledende kanal er forårsaket av n-spredningsbanene i de to n-spredningsbanene med høye konsentrasjonsverdier når røret leder. n-kanals fortykkede MOSFET-er har n-kanalen forårsaket av en ledende kanal når en positiv retningsforspenning økes så mye som mulig ved porten og bare når portkildeoperasjonen krever en driftsspenning som overskrider terskelspenningen. n-kanals utarming MOSFET-er er de som ikke er klare til portspenningen (gatekildedrift krever en driftsspenning på null). En n-kanals lysutarmings-MOSFET er en n-kanals MOSFET der den ledende kanalen er forårsaket når portspenningen (driftsspenningen for portkildens driftskrav er null) ikke er forberedt.
NMOSFET integrerte kretser er N-kanals MOSFET strømforsyningskrets, NMOSFET integrerte kretser, inngangsmotstanden er veldig høy, de aller fleste trenger ikke å fordøye absorpsjonen av strømflyt, og dermed kobles CMOSFET og NMOSFET integrerte kretser sammen uten å måtte ta inn i ta hensyn til belastningen av strømstrømmen.NMOSFET integrerte kretser, det store flertallet av valget av en enkelt gruppe positiv svitsj strømforsyning krets strømforsyning kretser Flertallet av NMOSFET integrerte kretser bruker en enkelt positiv svitsj strømforsyning krets strømforsyning krets, og for å 9V for mer. CMOSFET-integrerte kretser trenger bare å bruke den samme strømforsyningskretsen for strømforsyningskretser som NMOSFET-integrerte kretser, kan kobles til NMOSFET-integrerte kretser umiddelbart. Imidlertid, fra NMOSFET til CMOSFET umiddelbart koblet, fordi NMOSFET-utgangsopptrekksmotstanden er mindre enn CMOSFET integrert kretsnøkkelopptrekksmotstand, så prøv å bruke en potensiell forskjellsopptrekksmotstand R, verdien av motstanden R er vanligvis 2 til 100KΩ.
Konstruksjon av N-kanal fortykkede MOSFET-er
På et silisiumsubstrat av P-type med lav dopingkonsentrasjonsverdi lages to N-områder med høy dopingkonsentrasjonsverdi, og to elektroder trekkes ut av aluminiummetall for å tjene som henholdsvis dren d og kilden s.
Deretter i halvlederkomponentens overflate maskerer et veldig tynt lag av silika-isolasjonsrør, i dren-kilde-isolasjonsrøret mellom avløpet og kilden til en annen aluminiumselektrode, som porten g.
I underlaget fører også ut en elektrode B, som består av en N-kanal tykk MOSFET. MOSFET-kilde og substrat er vanligvis koblet sammen, det store flertallet av røret på fabrikken har lenge vært koblet til det, porten og andre elektroder er isolert mellom foringsrøret.
Innleggstid: 26. mai 2024
