Med dagens MOS-drivere er det flere ekstraordinære krav:
1. Lavspenningsapplikasjon
Ved bruk av 5V-svitsjingstrømforsyning, på dette tidspunktet hvis bruken av tradisjonelle totempæl struktur, fordi triode være bare 0,7V opp og ned tap, noe som resulterer i en spesifikk endelig last gate på spenningen er bare 4,3V, på dette tidspunktet, bruken av tillatt gate spenning på 4,5VMOSFET-er det er en viss grad av risiko.Samme situasjon forekommer også ved bruk av 3V eller annen lavspent svitsjingsstrømforsyning.
2. Bred spenningsapplikasjon
Nøkkelspenningen har ingen numerisk verdi, den varierer fra gang til gang eller på grunn av andre faktorer. Denne variasjonen fører til at drivspenningen gitt til MOSFET av PWM-kretsen er ustabil.
For å bedre sikre MOSFET-en ved høye portspenninger, har mange MOSFET-er innebygde spenningsregulatorer for å tvinge en grense på størrelsen på portspenningen. I dette tilfellet, når drivspenningen bringes til å overstige spenningen til regulatoren, forårsakes et stort statisk funksjonstap.
På samme tid, hvis det grunnleggende prinsippet om motstandsspenningsdeler brukes til å redusere portspenningen, vil det skje at hvis nøkkelspenningen er høyere, fungerer MOSFET bra, og hvis nøkkelspenningen reduseres, er ikke portspenningen. nok, noe som resulterer i utilstrekkelig på- og avslåing, noe som vil øke funksjonstapet.
3. Dobbel spenningsapplikasjoner
I noen kontrollkretser bruker den logiske delen av kretsen den typiske 5V eller 3,3V dataspenningen, mens utgangseffektdelen bruker 12V eller mer, og de to spenningene er koblet til felles jord.
Dette gjør det klart at en strømforsyningskrets må benyttes slik at lavspenningssiden rimeligvis kan manipulere høyspent MOSFET, mens høyspent MOSFET vil kunne takle de samme vanskelighetene nevnt i 1 og 2.
I disse tre tilfellene kan ikke totempolkonstruksjonen oppfylle utgangskravene, og mange eksisterende MOS-driver-ICer ser ikke ut til å inkludere en portspenningsbegrensende konstruksjon.
Innleggstid: 24. juli 2024
