MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) anses ofte for å være fullt kontrollerte enheter. Dette er fordi driftstilstanden (på eller av) til MOSFET er fullstendig kontrollert av gatespenningen (Vgs) og ikke er avhengig av basisstrømmen som i tilfellet med en bipolar transistor (BJT).
I en MOSFET bestemmer portspenningen Vgs om det dannes en ledende kanal mellom kilden og avløpet, samt bredden og ledningsevnen til den ledende kanalen. Når Vgs overskrider terskelspenningen Vt, dannes den ledende kanalen og MOSFET går inn i på-tilstand; når Vgs faller under Vt, forsvinner den ledende kanalen og MOSFET er i avskjæringstilstand. Denne kontrollen er fullstendig kontrollert fordi portspenningen uavhengig og nøyaktig kan kontrollere driftstilstanden til MOSFET uten å stole på andre strøm- eller spenningsparametere.
I motsetning til dette blir driftstilstanden til halvkontrollerte enheter (f.eks. tyristorer) ikke bare påvirket av styrespenningen eller strømmen, men også av andre faktorer (f.eks. anodespenning, strøm osv.). Som et resultat gir fullt kontrollerte enheter (f.eks. MOSFET-er) vanligvis bedre ytelse når det gjelder kontrollnøyaktighet og fleksibilitet.
Oppsummert er MOSFET-er fullt kontrollerte enheter hvis driftstilstand er fullstendig kontrollert av portspenningen, og har fordelene med høy presisjon, høy fleksibilitet og lavt strømforbruk.
Innleggstid: 20. september 2024
