I dag, med den raske utviklingen av vitenskap og teknologi, brukes halvledere i flere og flere bransjer, derMOSFET regnes også som en veldig vanlig halvlederenhet, neste trinn er å forstå hva som er forskjellen mellom egenskapene til den bipolare kraftkrystalltransistoren og utgangseffekten MOSFET.
1, måten å jobbe på
MOSFET er arbeidet som kreves for å fremme driftsspenning, kretsdiagrammer forklare relativt enkelt, fremme kraften til små; kraft krystall transistor er en strøm flyt for å fremme programmet design er mer kompleks, for å fremme spesifikasjonen av valg av vanskelig å fremme spesifikasjonen vil sette strømforsyningen totale bytte hastighet.
2, den totale byttehastigheten til strømforsyningen
MOSFET påvirket av temperaturen er liten, strømforsyningen bytte utgangseffekt kan sikre at mer enn 150KHz; kraftkrystalltransistor har en svært få gratis lagringstidsgrense for strømforsyningens byttehastighet, men utgangseffekten er vanligvis ikke mer enn 50KHz.
3、Sikkert arbeidsområde
Strøm MOSFET har ingen sekundær basis, og det sikre arbeidsområdet er bredt; kraftkrystalltransistor har en sekundær basissituasjon, som begrenser det sikre arbeidsområdet.
4、 Arbeidsspenning for elektrisk leder
MaktMOSFET tilhører høyspenningstypen, ledningsarbeidskravet arbeidsspenning er høyere, det er en positiv temperaturkoeffisient; kraftkrystall transistor uansett hvor mye penger som er motstandsdyktig mot arbeidskravet arbeidsspenning, den elektriske lederens arbeidskrav arbeidsspenning er lavere, og har en negativ temperaturkoeffisient.
5, maksimal kraftflyt
Power MOSFET i bytte strømforsyning krets strømforsyning krets krets strømforsyning krets som en strømforsyning bryter, i drift og stabilt arbeid i midten, er den maksimale strømstrømmen lavere; og kraftkrystalltransistor i drift og stabilt arbeid i midten, er maksimal effektflyt høyere.
6, Produktkostnad
Kostnaden for strøm-MOSFET er litt høyere; kostnaden for kraftkrystalltriode er litt lavere.
7、 Penetrasjonseffekt
Power MOSFET har ingen penetrasjonseffekt; kraftkrystalltransistor har penetrasjonseffekt.
8、 Byttetap
MOSFET-svitsjetapet er ikke stort; effektkrystalltransistor-svitsjetapet er relativt stort.
I tillegg er det store flertallet av strøm MOSFET integrert støtdempende diode, mens den bipolare kraftkrystall transistoren nesten ingen integrert støtdempende diode.MOSFET støtdempende diode kan også være en universell magnet for å bytte strømforsyningskretser magnetspoler for å gi effektfaktorvinkelen av sikkerhetskanalen for kraftstrøm. Felt effekt rør i støtdempende diode i hele prosessen med å slå av med den generelle dioden som eksistensen av omvendt utvinning strøm flyt, på dette tidspunktet dioden på den ene siden for å ta opp avløpet - kilden pol positive midten av en betydelig økning i arbeidskravene til driftsspenningen, på den annen side, og den omvendte gjenvinningsstrømmen.
Innleggstid: 24. mai 2024
