Hvordan fungerer MOSFET-er?

1, MOSFETintroduksjon

FieldEffect Transistor abbreviation (FET) tittel MOSFET. av et lite antall bærere for å delta i varmeledning, også kjent som multi-pol transistor. Den tilhører en halvsuperledermekanisme av spenningsmasteringstypen. Utgangsmotstanden er høy (10^8 ~ 10^9Ω), lavt støynivå, lavt strømforbruk, statisk rekkevidde, lett å integrere, ingen andre sammenbruddsfenomen, forsikringsoppgaven til havet og andre fordeler, har nå endret seg den bipolare transistoren og kraftovergangstransistoren til de sterke samarbeidspartnerne.

 

2, MOSFET-egenskaper

1, MOSFET er en spenningskontrollenhet, den gjennom VGS (gate source voltage) kontroll ID (drain DC);

2, MOSFET sineDC-utgangspolen er liten, så utgangsmotstanden er stor.

3, er det bruken av et lite antall bærere for å lede varme, så han har et bedre mål på stabilitet;

4, består den av at reduksjonsbanen til den elektriske reduksjonskoeffisienten er mindre enn trioden består av reduksjonsbanen til reduksjonskoeffisienten;

5, MOSFET anti-bestråling evne;

6, på grunn av fraværet av en defekt aktivitet av oligondispersjonen forårsaket av spredte støypartikler, så støyen er lav.

 

3、MOSFET-oppgaveprinsipp

MOSFET sinedriftsprinsippet i en setning, er "drain - kilde mellom ID-en som strømmer gjennom kanalen for porten og kanalen mellom pn-krysset dannet av den motsatte forspenningen til portspenningens master ID", for å være presis, ID flyter gjennom bredden av banen, det vil si kanalens tverrsnittsareal, er endringen i den reverserte forspenningen til pn-krysset, som produserer et utarmingslag. Årsaken til den utvidede variasjonskontrollen. I det umettede havet av VGS=0, siden utvidelsen av overgangslaget ikke er veldig stor, i henhold til tillegget av magnetfeltet til VDS mellom drenskilden, blir noen elektroner i kildehavet trukket bort av drain, dvs. det er en DC ID-aktivitet fra avløpet til kilden. Det moderate laget forstørret fra porten til avløpet gjør at en hel del av kanalen danner en blokkerende type, ID full. Kall dette skjemaet en pinch-off. Symboliserer overgangslaget til kanalen til en hel hindring, i stedet for likestrøm er kuttet.

 

Fordi det ikke er fri bevegelse av elektroner og hull i overgangslaget, har det nærmest isolerende egenskaper i ideell form, og det er vanskelig for den generelle strømmen å flyte. Men så det elektriske feltet mellom avløpet - kilden, faktisk, de to overgangslagene kommer i kontakt med avløpet og portpolen nær den nedre delen, fordi det elektriske drivfeltet trekker høyhastighetselektronene gjennom overgangslaget. Intensiteten til driftfeltet er nesten konstant og produserer fylden til ID-scenen.

 

Kretsen bruker en kombinasjon av en forbedret P-kanal MOSFET og en forbedret N-kanal MOSFET. Når inngangen er lav, leder P-kanal MOSFET og utgangen kobles til den positive terminalen på strømforsyningen. Når inngangen er høy, leder N-kanal MOSFET og utgangen kobles til strømforsyningens jord. I denne kretsen opererer P-kanal MOSFET og N-kanal MOSFET alltid i motsatte tilstander, med faseinnganger og -utganger reversert.