I. Definisjon av MOSFET
Som en spenningsdrevet enhet med høy strøm, MOSFET-er har et stort antall bruksområder i kretser, spesielt kraftsystemer. MOSFET-kroppsdioder, også kjent som parasittiske dioder, finnes ikke i litografien til integrerte kretser, men finnes i separate MOSFET-enheter, som gir omvendt beskyttelse og strømfortsettelse når de drives av høye strømmer og når induktive belastninger er tilstede.
På grunn av tilstedeværelsen av denne dioden kan MOSFET-enheten ikke bare sees bytte i en krets, som i en ladekrets der ladingen er ferdig, strømmen fjernes og batteriet reverserer utover, noe som vanligvis er et uønsket resultat.
Den generelle løsningen er å legge til en diode på baksiden for å forhindre omvendt strømforsyning, men egenskapene til dioden bestemmer behovet for et foroverspenningsfall på 0,6~1V, noe som resulterer i en alvorlig varmegenerering ved høye strømmer samtidig som den forårsaker sløsing av energi og redusere den totale energieffektiviteten. En annen metode er å legge til en rygg mot rygg MOSFET, ved å bruke den lave motstanden til MOSFET for å oppnå energieffektivitet.
Det skal bemerkes at etter ledning er MOSFET-en ikke-retningsbestemt, så etter ledning under trykk, tilsvarer det med en ledning, kun resistiv, ingen spenningsfall i tilstanden, vanligvis mettet på-motstand i noen få milliohm tiltidsriktig milliohm, og ikke-retningsbestemt, slik at likestrøm og vekselstrøm kan passere.
II. Kjennetegn på MOSFET-er
1, MOSFET er en spenningskontrollert enhet, ingen fremdriftstrinn er nødvendig for å drive høye strømmer;
2、Høy inngangsmotstand;
3, bredt driftsfrekvensområde, høy byttehastighet, lavt tap
4, AC komfortabel høy impedans, lav støy.
5,Multippel parallell bruk, øk utgangsstrømmen
For det andre, bruken av MOSFET-er i prosessen med forholdsregler
1, for å sikre sikker bruk av MOSFET, i linjedesignet, bør ikke overskride rørledningens effekttap, maksimal lekkasjekildespenning, portkildespenning og strøm og andre parametergrenseverdier.
2, må ulike typer MOSFET-er i brukvære strengt inne i samsvar med den nødvendige forspenningstilgangen til kretsen, for å overholde polariteten til MOSFET-forskyvningen.
3. Når du installerer MOSFET, vær oppmerksom på installasjonsposisjonen for å unngå nærhet til varmeelementet. For å forhindre vibrasjon av beslagene, må skallet strammes; bøying av stiftledningene bør utføres ved større enn rotstørrelsen på 5 mm for å forhindre at stiften bøyer seg og lekker.
4, på grunn av den ekstremt høye inngangsimpedansen, må MOSFET-er kortsluttes ut av pinnen under transport og lagring, og pakkes med metallskjerming for å forhindre ekstern indusert potensiell sammenbrudd av porten.
5. Gatespenningen til junction MOSFET-er kan ikke reverseres og kan lagres i åpen kretstilstand, men inngangsmotstanden til MOSFET-er med isolert port er veldig høy når de ikke er i bruk, så hver elektrode må kortsluttes. Når du lodder MOSFET-er med isolert port, følg rekkefølgen for kilde-drain-port, og lodd med strømmen av.
For å sikre sikker bruk av MOSFET-er, må du fullt ut forstå egenskapene til MOSFET-er og forholdsreglene som må tas ved bruk av prosessen, jeg håper at sammendraget ovenfor vil hjelpe deg.
Innleggstid: 15. mai 2024
