I motsetning til den doble spinnende krystalltrioden, oppleves det generelt som å gjøreMOSFEToppførsel bruker ikke en elektrisk strøm, men krever bare at GS-spenningen er høyere enn en viss verdi. Det er relativt enkelt å gjøre dette, vi trenger hovedsakelig en viss sats.
For strukturen til MOSFET, kan vi finne i GS, GD, vil det være noe parasittisk kapasitans, og MOSFET-stasjonen skal faktisk lade og utlade kapasitans. For lading av kondensatorer trenger vi bare en strøm er nok, fordi kondensatoren i lademomentet tilsvarer kondensatoren som en kortslutning, denne gangen vil den momentane strømmen være høyere enn den generelle situasjonsverdien. Derfor velger eller designer vi MOSFET-drivkretsprogrammet, det første å ta hensyn til størrelsen på den øyeblikkelige kortslutningsstrømmen kan gis.
For det andre må NMOS, som er mye brukt for high end-drift, la gatespenningen overstige kildespenningen når den leder. High-end stasjon MOSFET i på-tid, kildespenningen og dreneringsspenningens størrelse er den samme, så denne gangen bør gatespenningen være 4V eller 10V større enn Vcc. Hvis du er i samme system, ønsker å få større enn Vcc-portspenning, må du spesialisere deg i å kontrollere spenningskretsen. Mange motordrivere er sammensatt av ladepumper, det skal bemerkes at vi bør velge riktig ekstern kondensator for å oppnå tilstrekkelig kortslutningsstrøm til å drive MOSFET.
Olueky kjerneteam spesialiserer seg på komponenter, med hovedkontor i Shenzhen. Hoved:MOSFET, MCU, IGBT og andre enheter. De viktigste agent produkterWINSOK, Cmsemicon. produkter er mye brukt i militær, industriell kontroll, ny energi, medisinske produkter, 5G, Internet of Things, smarthus og diverse forbrukerelektronikk. Stole på fordelene ved den opprinnelige globale general agent, basert på det kinesiske markedet. Utnytte fordelene med perfekt service for kunder å introdusere alle typer avanserte høyteknologiske elektroniske komponenter, for å hjelpe produsenter til å produsere høykvalitetsprodukter og gi perfekt service.
Innleggstid: Jul-06-2024
