Hovedparametre for MOSFET-er og sammenligning med trioder

Field Effect Transistor forkortet somMOSFET.Det er to hovedtyper: koblingsfelteffektrør og metalloksydhalvlederfelteffektrør. MOSFET er også kjent som en unipolar transistor med et flertall av bærere involvert i konduktiviteten. De er spenningskontrollerte halvlederenheter. På grunn av sin høye inngangsmotstand, lave støy, lave strømforbruk og andre egenskaper, gjør den til en sterk konkurrent til bipolare transistorer og krafttransistorer.

I. Hovedparametre for MOSFET

1, DC-parametere

Metningsdrainstrøm kan defineres som drainstrømmen som tilsvarer når spenningen mellom gate og source er lik null og spenningen mellom drain og source er større enn pinch-off spenningen.

Pinch-off spenning OPP: UGS som kreves for å redusere ID til en liten strøm når UDS er sikker;

Slå på spenning UT: UGS kreves for å bringe ID til en viss verdi når UDS er sikker.

2、AC-parametre

Lavfrekvent transkonduktans gm : Beskriver styreeffekten av gate- og kildespenning på avløpsstrømmen.

Inter-pol kapasitans: kapasitansen mellom de tre elektrodene til MOSFET, jo mindre verdi, jo bedre ytelse.

3、Grenseparametere

Drain, kildenedbrytningsspenning: når avløpsstrømmen stiger kraftig, vil det produsere skredsammenbrudd når UDS.

Gate sammenbrudd spenning: knutepunkt felt effekt rør normal drift, gate og kilde mellom PN krysset i omvendt bias tilstand, strømmen er for stor til å produsere sammenbrudd.

II. Kjennetegn påMOSFET-er

MOSFET har en forsterkningsfunksjon og kan danne en forsterket krets. Sammenlignet med en triode har den følgende egenskaper.

(1) MOSFET er en spenningskontrollert enhet, og potensialet styres av UGS;

(2) Strømmen ved inngangen til MOSFET er ekstremt liten, så inngangsmotstanden er veldig høy;

(3) Temperaturstabiliteten er god fordi den bruker majoritetsbærere for konduktivitet;

(4) Spenningsforsterkningskoeffisienten til dens forsterkningskrets er mindre enn for en triode;

(5) Det er mer motstandsdyktig mot stråling.

Tredje,MOSFET og transistorsammenligning

(1) MOSFET-kilde, port, avløp og triodekilde, base, settpunktpol tilsvarer rollen til lignende.

(2) MOSFET er en spenningskontrollert strømenhet, forsterkningskoeffisienten er liten, forsterkningsevnen er dårlig; triode er en strømstyrt spenningsenhet, forsterkningsevnen er sterk.

(3) MOSFET-porten tar i utgangspunktet ikke strøm; og triodearbeid, vil basen absorbere en viss strøm. Derfor er MOSFET-portinngangsmotstanden høyere enn triodeinngangsmotstanden.

(4) Den ledende prosessen til MOSFET har deltagelse av polytron, og trioden har deltakelse av to typer bærere, polytron og oligotron, og dens konsentrasjon av oligotron er sterkt påvirket av temperatur, stråling og andre faktorer, derfor MOSFET har bedre temperaturstabilitet og strålingsmotstand enn transistor. MOSFET bør velges når miljøforholdene endres mye.

(5) Når MOSFET er koblet til kildemetallet og substratet, kan kilden og avløpet byttes ut og egenskapene endres ikke mye, mens når kollektoren og emitteren til transistoren byttes, er egenskapene forskjellige og β-verdien er redusert.

(6) Støytallet til MOSFET er lite.

(7) MOSFET og triode kan være sammensatt av en rekke forsterkerkretser og svitsjekretser, men førstnevnte bruker mindre strøm, høy termisk stabilitet, bredt spekter av forsyningsspenning, så det er mye brukt i storskala og ultra-stor- skala integrerte kretser.

(8) På-motstanden til trioden er stor, og på-motstanden til MOSFET er liten, så MOSFET-er brukes vanligvis som brytere med høyere effektivitet.