Flyt av MOSFET-testing

Innleggstid: 25. mai 2024

MOSFET-deteksjonsstrøm MOSFET-er, som en av de mest grunnleggende enhetene innen halvlederfeltet, er mye brukt i ulike produktdesign og kretser på kortnivå. Spesielt innen høyeffekthalvledere spiller MOSFET-er av forskjellige strukturer en uerstattelig rolle. Selvfølgelig er den høye utnyttelsesgraden påMOSFET-er har ført til noen mindre problemer. Et av MOSFET-lekkasjeproblemene, forskjellige steder har forskjellige løsninger, så vi har organisert noen få effektive feilsøkingsmetoder som referanse.

For deteksjon av MOSFET utmerker vi viktige aspekter:MOSFET lekkasje, kortsluttfouten, ontkobling, forsterking. Hvis det er en motstandsverdi, men ikke oppdaget, MOSFETs betingelser, de viktigste undersøkelsene kan vi vise til den neste prosessen som skal utføres:

1, de link gate og de bron av motstand fjernet, multimeteret kjørte en svart pennen vil ikke endres, når du beveger de lekkasje motstanden til en meter bar ledet tilbake til en høy motstand av enindig, og er deMOSFET lekka; vil ikke endre er ikke noe problem;

2, vil en transmisjonslinje til MOSFET-porten og bronpolen med hverandre forbundet, som den digitale multimeteren kommer umiddelbart tilbake til én gang, og MOSFET er ikke noe problem;

3, de red pennen til brons av MOSFET S, den svarte pennen til avvoer av MOSFET, en god meter stick markering moet ingen store armen;

4, med en motstandsbil 100KΩ-200KΩ knyttet til porten og avløpet, og deretter kjørte pennen til brons av MOSFET S, den svarte pennen til avløpet fra MOSFET, når det øyeblikket målermarkeringen er over det generelt vil være 0, når øyeblikket er under den positive elektrisitet på basis av denne motstanden til MOSFET gate batteriladning, hva resulterte i gate elektrisk felt, som følge av Elektrisk felt Resulterer i ledningsevne sectie forårsake drenering og bron pool pass, slik at den digitale multimeter basseng bias, skjevhet som større ansiktsvinkel, hvordan høyere lastes og laste karakterer.