Om arbeidsprinsippet for kraft MOSFET

Det er mange varianter av kretssymboler som vanligvis brukes for MOSFET-er. Den vanligste utformingen er en rett linje som representerer kanalen, to linjer vinkelrett på kanalen som representerer kilden og avløpet, og en kortere linje parallelt med kanalen til venstre som representerer porten. Noen ganger erstattes den rette linjen som representerer kanalen også med en stiplet linje for å skille mellom forbedringsmodusmosfet eller depletion mode mosfet, som også er delt inn i N-kanal MOSFET og P-kanal MOSFET to typer kretssymboler som vist i figuren (pilens retning er forskjellig).

Power MOSFET-er fungerer på to hovedmåter:

(1) Når en positiv spenning legges til D og S (drain positiv, kildenegativ) og UGS=0, er PN-krysset i P-kroppsregionen og N-drain-regionen reversert, og det er ingen strøm som går mellom D og S. Hvis en positiv spenning UGS legges til mellom G og S, vil ingen portstrøm flyte fordi porten er isolert, men en positiv spenning ved porten vil skyve hullene bort fra P-området under, og minoritetsbærerelektronene vil bli tiltrukket av P-regionens overflate Når UGS er større enn en viss spenning UT, vil elektronkonsentrasjonen på overflaten av P-regionen under porten overstige hullkonsentrasjonen, og dermed lage P-type halvleder antimønster lag N-type halvledere; dette antimønsterlaget danner en N-type kanal mellom kilden og avløpet, slik at PN-krysset forsvinner, kilden og avløpet ledende, og en avløpsstrøm-ID flyter gjennom avløpet. UT kalles tenningsspenningen eller terskelspenningen, og jo mer UGS overskrider UT, jo mer ledende er den ledende evnen, og jo større ID er. Jo større UGS overskrider UT, jo sterkere ledningsevne, jo større ID.

(2) Når D, S pluss negativ spenning (kildepositiv, avløpsnegativ), er PN-krysset forspent, tilsvarende en intern reversdiode (har ikke en rask responskarakteristikk), dvs.MOSFET ikke har omvendt blokkeringsevne, kan betraktes som en invers ledningskomponent.

AvMOSFET prinsippet om drift kan sees, dens ledning bare én polaritet bærere involvert i den ledende, så også kjent som unipolar transistor.MOSFET-stasjonen er ofte basert på strømforsyningen IC og MOSFET parametere for å velge riktig krets, er MOSFET vanligvis brukt for å bytte drivkrets for strømforsyning. Når du designer en byttestrømforsyning med en MOSFET, vurderer de fleste på-motstanden, maksimal spenning og maksimal strøm til MOSFET. Imidlertid vurderer folk veldig ofte bare disse faktorene, slik at kretsen kan fungere ordentlig, men det er ikke en god designløsning. For en mer detaljert design bør MOSFET også vurdere sin egen parameterinformasjon. For en bestemt MOSFET vil dens drivkrets, toppstrømmen til drivutgangen, etc., påvirke svitsjeytelsen til MOSFET.