WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

produkter

WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:


  • Modellnummer:WST4041
  • BVDSS:-40V
  • RDSON:30 mΩ
  • ID:-6A
  • Kanal:P-kanal
  • Pakke:SOT-23-3L
  • Sommerlig produkt:WST4041 MOSFET har en spenning på -40V, strøm på -6A, motstand på 30mΩ, P-kanal og SOT-23-3L emballasje.
  • Søknader:Elektroniske sigaretter, kontrollere, digitale produkter, små apparater, forbrukerelektronikk.
  • Produktdetaljer

    Søknad

    Produktetiketter

    Generell beskrivelse

    WST4041 er en kraftig P-kanal MOSFET designet for bruk i synkrone buck-omformere. Den har en høy celletetthet som gir utmerket RDSON og portlading. WST4041 oppfyller kravene til RoHS- og Green Product-standarder, og den kommer med en 100 % EAS-garanti for pålitelig ytelse.

    Funksjoner

    Advanced Trench Technology har høy celletetthet og superlav portlading, noe som reduserer CdV/dt-effekten betydelig. Våre enheter kommer med 100 % EAS-garanti og miljøvennlige alternativer.

    Søknader

    Høyfrekvent belastningspunkt synkron buck-omformer, nettverk DC-DC-strømsystem, belastningsbryter, e-sigaretter, kontrollere, digitale enheter, små husholdningsapparater og forbrukerelektronikk.

    tilsvarende materialnummer

    AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,

    Viktige parametere

    Symbol Parameter Vurdering Enheter
    VDS Drain-Source Spenning -40 V
    VGS Gate-kilde spenning ±20 V
    ID@TC=25℃ Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 -6,0 A
    ID@TC=100℃ Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 -4,5 A
    IDM Pulserende dreneringsstrøm2 -24 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 12 mJ
    IAS Skredstrøm -7 A
    PD@TC=25℃ Totalt krafttap 4 1.4 W
    TSTG Lagringstemperaturområde -55 til 150
    TJ Driftskryss temperaturområde -55 til 150
    Symbol Parameter Forhold Min. Typ. Maks. Enhet
    BVDS Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturkoeffisient Referanse til 25 ℃, ID=-1mA --- -0,03 --- V/℃
    RDS(PÅ) Statisk avløpskilde ved motstand2 VGS=-10V, ID=-3A --- 30 40
    VGS=-4,5V, ID=-1A --- 40 58
    VGS(th) Gateterskelspenning VGS=VDS, ID =-250uA -0,8 -1.2 -2.2 V
    △VGS(th) VGS(th) temperaturkoeffisient --- 4,56 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=-28V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forovertranskonduktans VDS=-5V, ID=-3A --- 15 --- S
    Rg Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 3.8 --- Ω
    Qg Total portlading (-4,5V) VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A --- 9.5 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.7 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.0 ---
    Td(på) Slå-på-forsinkelsestid VDD=-15V , VGS=-10V ,

    RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω

    --- 8 --- ns
    Tr Oppgangstid --- 10 ---
    Td(av) Utstengingstid --- 18 ---
    Tf Høsttid --- 8 ---
    Ciss Inngangskapasitans VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz --- 420 --- pF
    Coss Utgangskapasitans --- 77 ---
    Crss Omvendt overføringskapasitans --- 55 ---

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss