WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WST2078 er den beste MOSFET for små strømbrytere og belastningsapplikasjoner. Den har en høy celletetthet som gir utmerket RDSON og portlading. Den oppfyller RoHS- og Green Product-kravene og er godkjent for full funksjonspålitelighet.
Funksjoner
Avansert teknologi med grøfter med høy celletetthet, ekstremt lav portlading og utmerket reduksjon av Cdv/dt-effekter. Denne enheten er også miljøvennlig.
Søknader
Høyfrekvent belastningspunkt synkron liten strømsvitsjing er perfekt for bruk i MB/NB/UMPC/VGA, nettverk DC-DC strømsystemer, belastningsbrytere, e-sigaretter, kontrollere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrukere elektronikk.
tilsvarende materialnummer
AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter | |
| N-kanal | P-kanal | |||
| VDS | Drain-Source Spenning | 20 | -20 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±12 | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | -4,5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 4.5V1 | 2.8 | -2.6 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 20 | -13 | A |
| PD@TA=25℃ | Totalt krafttap 3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=4,5V, ID=3A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS=2,5V, ID=1A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS=1,8V, ID=1A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS , ID =250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoeffisient | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±8V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Total portlading (4,5V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.1 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 13 | 23 | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | Høsttid | --- | 3 | 5.5 | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 450 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 51 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 52 | --- |
Skriv din melding her og send den til oss
