WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Modellnummer:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ID:3,8A/-4,5A

Kanal:N&P-kanal

Pakke:SOT-23-6L

Sommerlig produkt:WST2078 MOSFET har spenningsklassifiseringer på 20V og -20V.Den kan håndtere strømmer på 3,8A og -4,5A, og har motstandsverdier på 45mΩ og 65mΩ.MOSFET har både N&P Channel-funksjoner og kommer i en SOT-23-6L-pakke.

Applikasjoner:E-sigaretter, kontrollere, digitale produkter, apparater og forbrukerelektronikk.

Send e-post til oss PDF

Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WST2078 er den beste MOSFET for små strømbrytere og belastningsapplikasjoner.Den har en høy celletetthet som gir utmerket RDSON og portlading.Den oppfyller RoHS- og Green Product-kravene og er godkjent for full funksjonspålitelighet.

Egenskaper

Avansert teknologi med grøfter med høy celletetthet, ekstremt lav portlading og utmerket reduksjon av Cdv/dt-effekter.Denne enheten er også miljøvennlig.

applikasjoner

Høyfrekvent belastningspunkt synkron liten strømsvitsjing er perfekt for bruk i MB/NB/UMPC/VGA, nettverk DC-DC strømsystemer, belastningsbrytere, e-sigaretter, kontrollere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrukere elektronikk.

tilsvarende materialnummer

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Viktige parametere

Symbol	Parameter	Vurdering		Enheter
Symbol	Parameter	N-kanal	P-kanal	Enheter
VDS	Drain-Source Spenning	20	-20	V
VGS	Gate-kilde spenning	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 4.5V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Pulserende dreneringsstrøm2	20	-1. 3	A
PD@TA=25℃	Totalt krafttap 3	1.4	1.4	W
TSTG	Lagringstemperaturområde	-55 til 150	-55 til 150	℃
TJ	Driftskryss temperaturområde	-55 til 150	-55 til 150	℃

Symbol	Parameter	Forhold	Min.	Typ.	Maks.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoeffisient	Referanse til 25 ℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=4,5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8V, ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Gateterskelspenning	VGS=VDS , ID =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoeffisient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-kilde lekkasjestrøm	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forovertranskonduktans	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Portmotstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Total portlading (4,5V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.1	---
Td(på)	Slå-på-forsinkelsestid	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Oppgangstid		---	13	23
Td(av)	Utstengingstid		---	15	28
Tf	Fall tid		---	3	5.5
Ciss	Inngangskapasitans	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Utgangskapasitans		---	51	---
Crss	Omvendt overføringskapasitans		---	52	---