WSR200N08 N-kanal 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Modellnummer:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9 mΩ

ID:200A

Kanal:N-kanal

Pakke:TO-220-3L

Sommerlig produkt:WSR200N08 MOSFET kan håndtere opptil 80 volt og 200 ampere med en motstand på 2,9 milliohm.Det er en N-kanal enhet og kommer i en TO-220-3L pakke.

Applikasjoner:Elektroniske sigaretter, trådløse ladere, motorer, batteristyringssystemer, reservestrømkilder, ubemannede luftfartøyer, helseutstyr, ladeutstyr for elektriske kjøretøy, kontrollenheter, 3D-utskriftsmaskiner, elektroniske enheter, små husholdningsapparater og forbrukerelektronikk.

Send e-post til oss PDF

Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WSR200N08 er N-Ch MOSFET med høyest ytelse med ekstrem høy celletetthet, som gir utmerket RDSON- og portlading for de fleste applikasjoner for synkrone buck-omformere.WSR200N08 oppfyller kravene til RoHS og grønt produkt, 100 % EAS-garantert med full funksjonspålitelighet godkjent.

Egenskaper

Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, Super Low Gate Charge, utmerket CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garantert, grønn enhet tilgjengelig.

applikasjoner

Bytteapplikasjon, strømstyring for invertersystemer, elektroniske sigaretter, trådløs lading, motorer, BMS, nødstrømforsyninger, droner, medisinsk, billading, kontrollere, 3D-printere, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk, etc.

tilsvarende materialnummer

AO AOT480L, PÅ FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.

Viktige parametere

Elektriske egenskaper (TJ=25℃, med mindre annet er angitt)

Symbol	Parameter	Vurdering	Enheter
VDS	Drain-Source Spenning	80	V
VGS	Gate-kilde spenning	±25	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulserende dreneringsstrøm2,TC=25°C	790	A
EAS	Skredenergi, Enkel puls, L=0,5mH	1496	mJ
IAS	Skredstrøm, Enkel puls, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Totalt krafttap 4	345	W
PD@TC=100℃	Totalt krafttap 4	173	W
TSTG	Lagringstemperaturområde	-55 til 175	℃
TJ	Driftskryss temperaturområde	175	℃

Symbol	Parameter	Forhold	Min.	Typ.	Maks.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoeffisient	Referanse til 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Gateterskelspenning	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoeffisient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-kilde lekkasjestrøm	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Portmotstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Total portlading (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	31	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	75	---
Td(på)	Slå-på-forsinkelsestid	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Oppgangstid		---	18	---
Td(av)	Utstengingstid		---	42	---
Tf	Fall tid		---	54	---
Ciss	Inngangskapasitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Utgangskapasitans		---	1029	---
Crss	Omvendt overføringskapasitans		---	650	---