WSP4888 Dual N-Channel 30V 9,8A SOP-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9,8A SOP-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:


  • Modellnummer:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9,8A
  • Kanal:Dobbel N-kanal
  • Pakke:SOP-8
  • Sommerlig produkt:Spenningen til WSP4888 MOSFET er 30V, strømmen er 9,8A, motstanden er 13,5mΩ, kanalen er Dual N-Channel, og pakken er SOP-8.
  • Søknader:E-sigaretter, trådløse ladere, motorer, droner, helsetjenester, billadere, kontroller, digitale enheter, små apparater og elektronikk for forbrukere.
  • Produktdetaljer

    Søknad

    Produktetiketter

    Generell beskrivelse

    WSP4888 er en høyytende transistor med en tett cellestruktur, ideell for bruk i synkrone buck-omformere. Den har utmerkede RDSON- og portladninger, noe som gjør den til et toppvalg for disse bruksområdene. I tillegg oppfyller WSP4888 både RoHS- og Green Product-krav og kommer med en 100 % EAS-garanti for pålitelig funksjon.

    Funksjoner

    Advanced Trench Technology har høy celletetthet og superlav portlading, noe som reduserer CdV/dt-effekten betydelig. Våre enheter kommer med 100 % EAS-garanti og miljøvennlige alternativer.

    Våre MOSFET-er gjennomgår strenge kvalitetskontrolltiltak for å sikre at de oppfyller de høyeste industristandardene. Hver enhet er grundig testet for ytelse, holdbarhet og pålitelighet, noe som sikrer lang produktlevetid. Dens robuste design gjør at den tåler ekstreme arbeidsforhold, og sikrer uavbrutt utstyrsfunksjonalitet.

    Konkurransedyktige priser: Til tross for deres overlegne kvalitet, er våre MOSFET-er svært konkurransedyktige priser, og gir betydelige kostnadsbesparelser uten at det går på bekostning av ytelsen. Vi mener at alle forbrukere bør ha tilgang til produkter av høy kvalitet, og vår prisstrategi gjenspeiler denne forpliktelsen.

    Bred kompatibilitet: Våre MOSFET-er er kompatible med en rekke elektroniske systemer, noe som gjør dem til et allsidig valg for produsenter og sluttbrukere. Den integreres sømløst i eksisterende systemer, og forbedrer den generelle ytelsen uten å kreve store designmodifikasjoner.

    Søknader

    Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter for bruk i MB/NB/UMPC/VGA-systemer, nettverk DC-DC-strømsystemer, lastbrytere, e-sigaretter, trådløse ladere, motorer, droner, medisinsk utstyr, billadere, kontroller , digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrukerelektronikk.

    tilsvarende materialnummer

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Viktige parametere

    Symbol Parameter Vurdering Enheter
    VDS Drain-Source Spenning 30 V
    VGS Gate-kilde spenning ±20 V
    ID@TC=25℃ Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Pulserende dreneringsstrøm2 45 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 25 mJ
    IAS Skredstrøm 12 A
    PD@TA=25℃ Totalt krafttap 4 2.0 W
    TSTG Lagringstemperaturområde -55 til 150
    TJ Driftskryss temperaturområde -55 til 150
    Symbol Parameter Forhold Min. Typ. Maks. Enhet
    BVDS Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturkoeffisient Referanse til 25 ℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS(PÅ) Statisk avløpskilde ved motstand2 VGS=10V, ID=8,5A --- 13.5 18
           
        VGS=4,5V, ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) Gateterskelspenning VGS=VDS , ID =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) temperaturkoeffisient   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forovertranskonduktans VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Total portlading (4,5V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.5 ---
    Td(på) Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Oppgangstid --- 9.2 19
    Td(av) Utstengingstid --- 19 34
    Tf Høsttid --- 4.2 8
    Ciss Inngangskapasitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Utgangskapasitans --- 98 112
    Crss Omvendt overføringskapasitans --- 59 91

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss