WSP4099 Dual P-Channel -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSP4099 er en kraftig grøft P-ch MOSFET med høy celletetthet.Den leverer utmerket RDSON- og portlading, noe som gjør den egnet for de fleste synkrone buck-omformerapplikasjoner.Den oppfyller RoHS- og GreenProduct-standarder og har 100 % EAS-garanti med full funksjonspålitelighetsgodkjenning.
Egenskaper
Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, ultralav portlading, utmerket CdV/dt-effektforfall og en 100 % EAS-garanti er alle funksjonene til våre grønne enheter som er lett tilgjengelige.
applikasjoner
Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-sigaretter, trådløs lading, motorer, droner, medisinsk behandling, billadere, kontrollere, digitale produkter , små husholdningsapparater og forbrukerelektronikk.
tilsvarende materialnummer
PÅ FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | -40 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | -22 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 25 | mJ |
| IAS | Skredstrøm | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Totalt krafttap 4 | 2.0 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-4,5A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, ID =-250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoeffisient | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Total portlading (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 7 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Fall tid | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 72 | --- |
