WSP4099 Dual P-Channel -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Modellnummer:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30 mΩ

ID:-6,5A

Kanal:Dobbel P-kanal

Pakke:SOP-8

Sommerlig produkt:WSP4099 MOSFET har en spenning på -40V, en strøm på -6,5A, en motstand på 30mΩ, en Dual P-Channel, og kommer i en SOP-8-pakke.

Søknader:Elektroniske sigaretter, trådløs lading, motorer, droner, medisinsk, billadere, kontrollere, digitale produkter, små apparater, forbrukerelektronikk.

Send forespørsel PDF

Produktdetaljer

Søknad

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WSP4099 er en kraftig grøft P-ch MOSFET med høy celletetthet. Den leverer utmerket RDSON- og portlading, noe som gjør den egnet for de fleste synkrone buck-omformerapplikasjoner. Den oppfyller RoHS- og GreenProduct-standarder og har 100 % EAS-garanti med full funksjonspålitelighetsgodkjenning.

Funksjoner

Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, ultralav portlading, utmerket CdV/dt-effektforfall og en 100 % EAS-garanti er alle funksjonene til våre grønne enheter som er lett tilgjengelige.

Søknader

Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-sigaretter, trådløs lading, motorer, droner, medisinsk behandling, billadere, kontrollere, digitale produkter , små husholdningsapparater og forbrukerelektronikk.

tilsvarende materialnummer

PÅ FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

Viktige parametere

Symbol	Parameter	Vurdering	Enheter
VDS	Drain-Source Spenning	-40	V
VGS	Gate-kilde spenning	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, -VGS @ -10V1	-4,5	A
IDM	Pulserende dreneringsstrøm2	-22	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	25	mJ
IAS	Skredstrøm	-10	A
PD@TC=25℃	Totalt krafttap 4	2.0	W
TSTG	Lagringstemperaturområde	-55 til 150	℃
TJ	Driftskryss temperaturområde	-55 til 150	℃

Symbol	Parameter	Forhold	Min.	Typ.	Maks.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoeffisient	Referanse til 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=-10V, ID=-6,5A	---	30	38	mΩ
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=-4,5V, ID=-4,5A	---	46	62	mΩ
VGS(th)	Gateterskelspenning	VGS=VDS, ID =-250uA	-1,5	-2,0	-2,5	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoeffisient	VGS=VDS, ID =-250uA	---	3,72	---	V/℃
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-kilde lekkasjestrøm	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forovertranskonduktans	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Total portlading (-4,5V)	VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	2.4	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.5	---
Td(på)	Slå-på-forsinkelsestid	VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Oppgangstid		---	7	---
Td (av)	Utstengingstid		---	31	---
Tf	Høsttid		---	17	---
Ciss	Inngangskapasitans	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Utgangskapasitans		---	98	---
Crss	Omvendt overføringskapasitans		---	72	---