WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Modellnummer:WSP4016

BVDSS:40V

RDSON:11,5 mΩ

ID:15,5A

Kanal:N-kanal

Pakke:SOP-8

Sommerlig produkt:Spenningen til WSP4016 MOSFET er 40V, strømmen er 15,5A, motstanden er 11,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er SOP-8.

Applikasjoner:Bilelektronikk, LED-lys, lyd, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk, beskyttelsestavler, etc.

Send e-post til oss PDF

Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WSP4016 er den N-ch MOSFET med høyest ytelse med ekstrem høy celletetthet, som gir utmerkede RDSON- og portladninger for de fleste applikasjoner for synkrone buck-omformere.WSP4016 oppfyller RoHS- og Green Product-kravet, 100 % EAS-garantert med full funksjonspålitelighet godkjent.

Egenskaper

Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, Super Low Gate Charge, Utmerket CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garantert, Grønn enhet tilgjengelig.

applikasjoner

Hvite LED boost-omformere, bilsystemer, industrielle DC/DC konverteringskretser, EAutomotive elektronikk, LED-lys, lyd, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk, beskyttelsestavler, etc.

tilsvarende materialnummer

AO AOSP66406, PÅ FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Viktige parametere

Symbol	Parameter	Vurdering	Enheter
VDS	Drain-Source Spenning	40	V
VGS	Gate-kilde spenning	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1	15.5	A
ID@TC=70℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Pulserende dreneringsstrøm2	30	A
PD@TA=25℃	Total effekttap TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	Total effekttap TA=70°C	1.3	W
TSTG	Lagringstemperaturområde	-55 til 150	℃
TJ	Driftskryss temperaturområde	-55 til 150	℃

Elektriske egenskaper (TJ=25 ℃, med mindre annet er angitt)

Symbol	Parameter	Forhold	Min.	Typ.	Maks.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=4,5V, ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS(th)	Gateterskelspenning	VGS=VDS , ID =250uA	1.0	1.8	2.5	V
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Gate-kilde lekkasjestrøm	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forovertranskonduktans	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Total portlading (4,5V)	VDS=20V ,VGS=10V ,ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3.9	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3	---
Td(på)	Slå-på-forsinkelsestid	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Oppgangstid		---	10	---
Td(av)	Utstengingstid		---	23.6	---
Tf	Fall tid		---	6	---
Ciss	Inngangskapasitans	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
Coss	Utgangskapasitans		---	132	---
Crss	Omvendt overføringskapasitans		---	70	---