WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSP4016 er den N-ch MOSFET med høyest ytelse med ekstrem høy celletetthet, som gir utmerket RDSON- og portladninger for de fleste applikasjoner for synkrone buck-omformere. WSP4016 oppfyller RoHS- og Green Product-kravet, 100 % EAS-garantert med full funksjonspålitelighet godkjent.
Funksjoner
Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, Super Low Gate Charge, Utmerket CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garantert, Grønn enhet tilgjengelig.
Søknader
Hvite LED boost-omformere, bilsystemer, industrielle DC/DC konverteringskretser, EAutomotive elektronikk, LED-lys, lyd, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk, beskyttelsestavler, etc.
tilsvarende materialnummer
AO AOSP66406, PÅ FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 40 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 | 15.5 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 30 | A |
| PD@TA=25℃ | Total effekttap TA=25°C | 2.08 | W |
| PD@TA=70℃ | Total effekttap TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
Elektriske egenskaper (TJ=25 ℃, med mindre annet er angitt)
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS , ID =250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | Total portlading (4,5V) | VDS=20V ,VGS=10V ,ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 10 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 132 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 70 | --- |
Merk:
1.Pulstest: PW<= 300us arbeidssyklus<= 2 %.
2. Garantert av design, ikke gjenstand for produksjonstesting.
