WSM340N10G N-kanal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSM340N10G er N-Ch MOSFET med høyest ytelse med ekstrem høy celletetthet, som gir utmerket RDSON- og portlading for de fleste applikasjoner for synkrone buck-omformere. WSM340N10G oppfyller RoHS og Green Product-kravet, 100 % EAS-garantert med full funksjonspålitelighet godkjent.
Funksjoner
Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, Super Low Gate Charge, utmerket CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garantert, Grønn enhet tilgjengelig.
Søknader
Synkron likeretting, DC/DC-omformer, Lastbryter, Medisinsk utstyr, droner, PD-strømforsyninger, LED-strømforsyninger, industrielt utstyr, etc.
Viktige parametere
Absolutte maksimale rangeringer
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 100 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | Skredenergi, Enkel puls, L=0,5mH | 1800 | mJ |
| IAS | Skredstrøm, Enkel puls, L=0,5mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | Total krafttap | 375 | W |
| PD@TC=100℃ | Total krafttap | 187 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | 175 | ℃ |
Elektriske egenskaper (TJ=25℃, med mindre annet er angitt)
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS , ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoeffisient | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Total portlading (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 60 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 50 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 228 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 322 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 6160 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 220 | --- |
Skriv din melding her og send den til oss
