WSM320N04G N-kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSM320N04G er en høyytelses MOSFET som bruker en grøftdesign og har en svært høy celletetthet. Den har utmerket RDSON- og portlading og er egnet for de fleste synkrone buck-omformerapplikasjoner. WSM320N04G oppfyller RoHS- og grønne produktkrav og er garantert å ha 100 % EAS og full funksjonspålitelighet.
Funksjoner
Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, samtidig som den har lav portlading for optimal ytelse. I tillegg har den en utmerket CdV/dt-effektnedgang, en 100 % EAS-garanti og et miljøvennlig alternativ.
Søknader
Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Power Tool Application, Elektroniske sigaretter, trådløs lading, droner, medisinsk, billading, kontrollere, digitale produkter, små husholdningsapparater og forbrukerelektronikk.
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter | |
| VDS | Drain-Source Spenning | 40 | V | |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 900 | A | |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 980 | mJ | |
| IAS | Skredstrøm | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Totalt krafttap 4 | 250 | W | |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 175 | ℃ | |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS , ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoeffisient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Total portlading (10V) | VDS=20V , VGS=10V , ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 83 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 115 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 80 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 1200 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 800 | --- |
