WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Modellnummer:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6,8 mΩ

ID:-70A

Kanal:P-kanal

Pakke:TO-252

Sommerlig produkt:WSF70P02 MOSFET har en spenning på -20V, strøm på -70A, motstand på 6,8mΩ, en P-kanal og TO-252-emballasje.

Applikasjoner:E-sigaretter, trådløse ladere, motorer, strømbackup, droner, helsetjenester, billadere, kontrollere, elektronikk, apparater og forbruksvarer.

Send e-post til oss PDF

Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WSF70P02 MOSFET er den toppytende P-kanal grøfteenheten med høy celletetthet.Den tilbyr enestående RDSON- og portlading for de fleste synkrone buck-omformerapplikasjoner.Enheten oppfyller RoHS- og Green Product-kravene, er 100 % EAS-garantert, og har blitt godkjent for full funksjonspålitelighet.

Egenskaper

Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, superlav portlading, utmerket reduksjon i CdV/dt-effekt, 100 % EAS-garanti og alternativer for miljøvennlige enheter.

applikasjoner

Høyfrekvent belastningspunktsynkron, Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Nettverk DC-DC Power System, Lastebryter, E-sigaretter, trådløs lading, motorer, nødstrømforsyninger, droner, medisinsk behandling, billadere , kontrollere, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk.

tilsvarende materialnummer

AOS

Viktige parametere

Symbol	Parameter	Vurdering		Enheter
		10s	Stabil
VDS	Drain-Source Spenning	-20		V
VGS	Gate-kilde spenning	±12		V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Pulserende dreneringsstrøm2	-200		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	360		mJ
IAS	Skredstrøm	-55,4		A
PD@TC=25℃	Totalt krafttap 4	80		W
TSTG	Lagringstemperaturområde	-55 til 150		℃
TJ	Driftskryss temperaturområde	-55 til 150		℃

Symbol	Parameter	Forhold	Min.	Typ.	Maks.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoeffisient	Referanse til 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=-4,5V, ID=-15A	---	6.8	9,0	mΩ
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	Gateterskelspenning	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoeffisient		---	2,94	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Gate-kilde lekkasjestrøm	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forovertranskonduktans	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Total portlading (-4,5V)	VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	13	---
Td(på)	Slå-på-forsinkelsestid	VDD=-10V , VGS=-4,5V , RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Oppgangstid		---	77	---
Td(av)	Utstengingstid		---	195	---
Tf	Fall tid		---	186	---
Ciss	Inngangskapasitans	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Utgangskapasitans		---	520	---
Crss	Omvendt overføringskapasitans		---	445	---