WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSF70P02 MOSFET er den toppytende P-kanal grøfteenheten med høy celletetthet. Den tilbyr enestående RDSON- og portlading for de fleste synkrone buck-omformerapplikasjoner. Enheten oppfyller RoHS- og Green Product-kravene, er 100 % EAS-garantert, og har blitt godkjent for full funksjonspålitelighet.
Funksjoner
Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, superlav portlading, utmerket reduksjon i CdV/dt-effekt, 100 % EAS-garanti og alternativer for miljøvennlige enheter.
Søknader
Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous, Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-sigaretter, trådløs lading, motorer, nødstrømforsyninger, droner, medisinsk behandling, billadere , kontrollere, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk.
tilsvarende materialnummer
AOS
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter | |
| 10s | Steady State | |||
| VDS | Drain-Source Spenning | -20 | V | |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | -200 | A | |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 360 | mJ | |
| IAS | Skredstrøm | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Totalt krafttap 4 | 80 | W | |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ | |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=-4,5V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9,0 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoeffisient | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Total portlading (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 13 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=-10V , VGS=-4,5V , RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 77 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 520 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 445 | --- |
