WSF6012 N&P-kanal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Modellnummer:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

ID:20A/-15A

Kanal:N&P-kanal

Pakke:TO-252-4L

Sommerlig produkt:WSF6012 MOSFET har et spenningsområde på 60V og -60V, kan håndtere strømmer opp til 20A og -15A, har en motstand på 28mΩ og 75mΩ, har både N&P-kanal, og er pakket i TO-252-4L.

Applikasjoner:E-sigaretter, trådløse ladere, motorer, strømbackup, droner, helsetjenester, billadere, kontrollere, elektronikk, apparater og forbruksvarer.

Send e-post til oss PDF

Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WSF6012 MOSFET er en høyytelsesenhet med design med høy celletetthet.Den gir utmerket RDSON- og portlading som passer for de fleste applikasjoner for synkrone buck-omformere.I tillegg oppfyller den RoHS og Green Product-krav, og leveres med 100 % EAS-garanti for full funksjonalitet og pålitelighet.

Egenskaper

Avansert grøfteteknologi med høy celletetthet, superlav portlading, utmerket CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanti og miljøvennlige enhetsalternativer.

applikasjoner

Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-sigaretter, trådløs lading, motorer, nødstrømforsyninger, droner, helsetjenester, billadere, kontrollere, digitale enheter, små husholdningsapparater, og forbrukerelektronikk.

tilsvarende materialnummer

AOS AOD603A,

Viktige parametere

Symbol	Parameter	Vurdering		Enheter
Symbol	Parameter	N-kanal	P-kanal	Enheter
VDS	Drain-Source Spenning	60	-60	V
VGS	Gate-kilde spenning	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Pulserende dreneringsstrøm2	46	-36	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	200	180	mJ
IAS	Skredstrøm	59	-50	A
PD@TC=25℃	Totalt krafttap 4	34,7	34,7	W
TSTG	Lagringstemperaturområde	-55 til 150	-55 til 150	℃
TJ	Driftskryss temperaturområde	-55 til 150	-55 til 150	℃

Symbol	Parameter	Forhold	Min.	Typ.	Maks.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoeffisient	Referanse til 25 ℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=10V, ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=4,5V, ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(th)	Gateterskelspenning	VGS=VDS , ID =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoeffisient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-kilde lekkasjestrøm	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forovertranskonduktans	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Portmotstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Total portlading (4,5V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	6.3	---
Td(på)	Slå-på-forsinkelsestid	VDD=30V , VGS=4,5V , RG=3,3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Oppgangstid		---	14.2	---
Td(av)	Utstengingstid		---	24.6	---
Tf	Fall tid		---	4.6	---
Ciss	Inngangskapasitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Utgangskapasitans		---	70	---
Crss	Omvendt overføringskapasitans		---	35	---