WSF6012 N&P-kanal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSF6012 MOSFET er en høyytelsesenhet med design med høy celletetthet. Den gir utmerket RDSON- og portlading som passer for de fleste applikasjoner for synkrone buck-omformere. I tillegg oppfyller den RoHS og Green Product-krav, og leveres med 100 % EAS-garanti for full funksjonalitet og pålitelighet.
Funksjoner
Avansert grøfteteknologi med høy celletetthet, superlav portlading, utmerket CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garanti og miljøvennlige enhetsalternativer.
Søknader
Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-sigaretter, trådløs lading, motorer, nødstrømforsyninger, droner, helsetjenester, billadere, kontrollere, digitale enheter, små husholdningsapparater, og forbrukerelektronikk.
tilsvarende materialnummer
AOS AOD603A,
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter | |
| N-kanal | P-kanal | |||
| VDS | Drain-Source Spenning | 60 | -60 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Skredstrøm | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Totalt krafttap 4 | 34,7 | 34,7 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS , ID =250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoeffisient | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Total portlading (4,5V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=30V , VGS=4,5V , RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 70 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 35 | --- |
