WSD80130DN56 N-kanal 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD80130DN56 N-kanal 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Delenummer:WSD80130DN56

BVDS:80V

ID:130A

RDSON:2,7 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD80130DN56 MOSFET er 80V, strømmen er 130A, motstanden er 2,7mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

Droner MOSFET, motorer MOSFET, medisinsk MOSFET, elektroverktøy MOSFET, ESCs MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

80

V

VGS

Gate-Source Spenning

±20

V

TJ

Maksimal krysstemperatur

150

°C

ID

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

°C

ID

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS=10V,TC=25°C

130

A

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS=10V,TC=70°C

89

A

IDM

Pulserende avløpsstrøm ,TC=25°C

400

A

PD

Maksimal effekttap,TC=25°C

200

W

RqJC

Termisk motstand-forbindelse til kasse

1,25

°C

       

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

80

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeffisient Referanse til 25, JEGD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V, ID=40A

---

2.7

3.6

mΩ

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, JEGD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Total portlading (10V) VDS=30V, VGS=10V, ID=30A

---

48,6

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

17.5

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

10.4

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=30V, VGS=10V ,

RG=2,5Ω, JEGD=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

10

---

Td(av)

Utstengingstid

---

35

---

Tf

Fall tid

---

12

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz

---

4150

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

471

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

20

---


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss