WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Delenummer:WSD80120DN56

BVDS:85V

ID:120A

RDSON:3,7 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD80120DN56 MOSFET er 85V, strømmen er 120A, motstanden er 3,7mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

Medisinsk spenning MOSFET, fotoutstyr MOSFET, droner MOSFET, industriell kontroll MOSFET, 5G MOSFET, bilelektronikk MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

85

V

VGS

Gate-Source Spenning

±25

V

ID@TC=25

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V

120

A

ID@TC=100

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V

96

A

IDM

Pulserende dreneringsstrøm..TC=25°C

384

A

EAS

Skredenergi, Enkel puls, L=0,5mH

320

mJ

IAS

Skredstrøm, Enkel puls, L=0,5mH

180

A

PD@TC=25

Total krafttap

104

W

PD@TC=100

Total krafttap

53

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 175

TJ

Driftskryss temperaturområde

175

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA 85

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeffisient Referanse til 25, JEGD=1mA

---

0,096

---

V/

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand VGS=10V,ID=50A

---

3.7

4.8

mΩ

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, JEGD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

-5,5

---

mV/

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=85V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=85V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±25V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Rg

Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.2

---

Ω

Qg

Total portlading (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=10A

---

54

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

17

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

11

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=50V, VGS=10V ,

RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A.

---

21

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

18

---

Td(av)

Utstengingstid

---

36

---

Tf

Fall tid

---

10

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz

---

3750

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

395

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

180

---


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss