WSD80100DN56 N-kanal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSD80100DN56 N-kanal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Delenummer:WSD80100DN56

BVDS:80V

ID:100A

RDSON:6,1 mΩ

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Søknad

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD80100DN56 MOSFET er 80V, strømmen er 100A, motstanden er 6,1mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

Droner MOSFET, motorer MOSFET, bilelektronikk MOSFET, store apparater MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

80

V

VGS

Gate-Source Spenning

±20

V

TJ

Maksimal krysstemperatur

150

°C

ID

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

°C

ID

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS=10V,TC= 100°C

80

A

IDM

Pulserende avløpsstrøm ,TC=25°C

380

A

PD

Maksimal effekttap,TC=25°C

200

W

RqJC

Termisk motstand-forbindelse til kasse

0,8

°C

EAS

Skredenergi, Enkel puls, L=0,5mH

800

mJ

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

80

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeffisient Referanse til 25, jegD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V, ID=40A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, jegD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forovertranskonduktans VDS=5V, ID=20A

80

---

---

S

Qg

Total portlading (10V) VDS=30V, VGS=10V, ID=30A

---

125

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

24

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

30

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=30V, VGS=10V ,

RG=2,5Ω, jegD=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

19

---

Td(av)

Utstengingstid

---

70

---

Tf

Høsttid

---

30

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz

---

4900

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

410

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

315

---


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss