WSD75N12GDN56 N-kanal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD75N12GDN56 MOSFET er 120V, strømmen er 75A, motstanden er 6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
Medisinsk utstyr MOSFET, droner MOSFET, PD strømforsyninger MOSFET, LED strømforsyninger MOSFET, industriutstyr MOSFET.
MOSFET-applikasjonsfeltWINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDSS | Dren-til-kilde spenning | 120 | V |
| VGS | Gate-til-kilde spenning | ±20 | V |
| ID | 1 Kontinuerlig dreneringsstrøm (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Kontinuerlig dreneringsstrøm (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm | 320 | A |
| IAR | Enkel puls skredstrøm | 40 | A |
| EASa | Enkel puls skredenergi | 240 | mJ |
| PD | Kraftspredning | 125 | W |
| TJ, Tstg | Driftskobling og lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TL | Maksimal temperatur for lodding | 260 | ℃ |
| RθJC | Termisk motstand, kryss-til-kasse | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Termisk motstand, kryss-til-omgivelse | 50 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Testbetingelser | Min. | Typ. | Maks. | Enheter |
| VDSS | Drener til kildenedbrytingsspenning | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drener til kildelekkasjestrøm | VDS = 120V, VGS = 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Gate til kilde videre lekkasje | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Gate til kilde omvendt lekkasje | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Gateterskelspenning | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Dren-to-Source On-Resistance | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Inngangskapasitans | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Portmotstand | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Slå på forsinkelsestid | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Oppgangstid | -- | 11 | -- | ns | |
| td(AV) | Utstengingstid | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Fall tid | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Total portlading | VGS =0~10V VDS = 50VID =20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Gatekildelading | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Portavløpsladning | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Diode fremstrøm | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ER M | Diode pulsstrøm | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Diode fremoverspenning | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Omvendt gjenopprettingstid | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | -- | 250 | -- | nC |
