WSD75100DN56 N-kanal 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD75100DN56 MOSFET er 75V, strømmen er 100A, motstanden er 5,3mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, droner MOSFET, medisinsk omsorg MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NSPONS3G, PSC42NE7NSFET 7, 7, 7, 6 X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 75 | V |
| VGS | Gate-Source Spenning | ±25 | V |
| TJ | Maksimal krysstemperatur | 150 | °C |
| ID | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | °C |
| IS | Diode kontinuerlig fremoverstrøm,TC=25°C | 50 | A |
| ID | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS=10V,TC= 100°C | 73 | A | |
| IDM | Pulserende avløpsstrøm ,TC=25°C | 400 | A |
| PD | Maksimal effekttap,TC=25°C | 155 | W |
| Maksimal effekttap,TC= 100°C | 62 | W | |
| RθJA | Termisk motstand-kryss til omgivelsestemperatur ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Termisk motstand-kryss til omgivelsene, stabil tilstand | 60 | °C | |
| RqJC | Termisk motstand-forbindelse til kasse | 0,8 | °C |
| IAS | Skredstrøm, Enkel puls, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Skredenergi, Enkel puls, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffisient | Referanse til 25℃, jegD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, jegD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffisient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Total portlading (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 17 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, jegD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 14 | 26 | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Høsttid | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | 100 | 195 | 250 |
