WSD60N10GDN56 N-kanal 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD60N10GDN56 MOSFET er 100V, strømmen er 60A, motstanden er 8,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medisinsk pleie MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
MOSFET-applikasjonsfeltWINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON3PHRG 1 MOSFET1 MOSFET1 MOSFET 3PHRLG 1,6 PH, 1000 H8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Halvleder MOSFET PDC92X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 100 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dreneringsstrøm | 60 | A |
| IDP | Pulserende dreneringsstrøm | 210 | A |
| EAS | Skredenergi, Enkel puls | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Total krafttap | 125 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Statisk avløpskilde på-motstand | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(PÅ) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, JEGD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Total portlading (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=25A | --- | 49,9 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=50V, VGS=10V ,RG=2,2Ω, ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 5 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 51,8 | --- | ||
| Tf | Fall tid | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Kontinuerlig kildestrøm | VG=VD=0V , kraftstrøm | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Pulserende kildestrøm | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Diode fremoverspenning | VGS=0V, IS=12A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Omvendt gjenopprettingstid | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 60,4 | --- | nS |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | --- | 106,1 | --- | nC |
