WSD6060DN56 N-kanal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD6060DN56 MOSFET er 60V, strømmen er 65A, motstanden er 7,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medisinsk pleie MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enhet | |
| Vanlige vurderinger | ||||
| VDSS | Drain-Source Spenning | 60 | V | |
| VGSS | Gate-kilde spenning | ±20 | V | |
| TJ | Maksimal krysstemperatur | 150 | °C | |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | °C | |
| IS | Diode kontinuerlig fremstrøm | Tc=25°C | 30 | A |
| ID | Kontinuerlig dreneringsstrøm | Tc=25°C | 65 | A |
| Tc=70°C | 42 | |||
| I DM b | Pulsavløpsstrøm testet | Tc=25°C | 250 | A |
| PD | Maksimal effekttap | Tc=25°C | 62,5 | W |
| TC=70°C | 38 | |||
| RqJL | Termisk motstand-kryss til bly | Steady State | 2.1 | °C/W |
| RqJA | Termisk motstand-kryss til omgivelsene | t £ 10s | 45 | °C/W |
| Steady Stateb | 50 | |||
| JEG AS d | Skredstrøm, Enkel puls | L=0,5mH | 18 | A |
| E AS d | Skredenergi, Enkel puls | L=0,5mH | 81 | mJ |
| Symbol | Parameter | Testbetingelser | Min. | Typ. | Maks. | Enhet | |
| Statiske egenskaper | |||||||
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, IDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | Nullportspenning Drain Current | VDS=48V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VDS=VGS, jegDS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | Gatelekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) 3 | Drain-Source On-State Resistance | VGS=10V, IDS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4,5V, IDS=15 A | - | 10 | 15 | ||||
| Diodeegenskaper | |||||||
| V SD | Diode fremoverspenning | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Omvendt gjenopprettingstid | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 36 | - | nC | ||
| Dynamiske egenskaper3,4 | |||||||
| RG | Portmotstand | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Ciss | Inngangskapasitans | VGS=0V, VDS=30V, F=1,0MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
| Coss | Utgangskapasitans | - | 270 | - | |||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | - | 40 | - | |||
| td(ON) | Slå på forsinkelsestid | VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Slå på stigetid | - | 6 | - | |||
| td( AV) | Utstengingstid | - | 33 | - | |||
| tf | Slå av høsttid | - | 30 | - | |||
| Gate Charge Characteristics 3,4 | |||||||
| Qg | Total portlading | VDS=30V, VGS=4,5V, IDS=20A | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Total portlading | VDS=30V, VGS=10V, IDS=20A | - | 27 | - | ||
| Qgth | Terskelportlading | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Gate-Source Charge | - | 5 | - | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | - | 4.2 | - | |||
