WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD6040DN56 MOSFET er 60V, strømmen er 36A, motstanden er 14mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medisinsk pleie MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter | ||
| VDS | Drain-Source Spenning | 60 | V | ||
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V | ||
| ID | Kontinuerlig dreneringsstrøm | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Kontinuerlig dreneringsstrøm | TA = 25°C | 8.4 | A | |
| TA = 100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Pulserende dreneringsstrøm | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Maksimal effekttap | TC=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Maksimal effekttap | TA = 25°C | 2.08 | W | |
| TA = 70°C | 1,33 | ||||
| IAS c | Skredstrøm, Enkel puls | L=0,5mH | 16 | A | |
| EASc | Single Pulse Avalanche Energy | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diode kontinuerlig fremstrøm | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Maksimal krysstemperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Termisk motstandsforbindelse til omgivelsene | Steady State | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Termisk motstand-forbindelse til kasse | Steady State | 3.3 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet | |
| Statisk | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Nullportspenning Drain Current | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gatelekkasjestrøm | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Om kjennetegn | |||||||
| VGS(TH) | Gateterskelspenning | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(på)d | Drain-Source On-State Resistance | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Bytter | |||||||
| Qg | Total portlading | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 9.6 | nC | ||||
| td (på) | Slå på forsinkelsestid | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Slå på stigetid | 9 | ns | ||||
| td (av) | Utstengingstid | 58 | ns | ||||
| tf | Slå av høsttid | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat motstand | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dynamisk | |||||||
| Ciss | I kapasitans | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Ut Kapasitans | 140 | pF | ||||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | 100 | pF | ||||
| Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings | |||||||
| IS | Kontinuerlig kildestrøm | VG=VD=0V , kraftstrøm | 18 | A | |||
| ISM | Pulserende kildestrøm3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Diode fremoverspenning | ISD = 20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Omvendt gjenopprettingstid | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
