WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD45N10GDN56 MOSFET er 100V, strømmen er 45A, motstanden er 14,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, motorer MOSFET, droner MOSFET, medisinsk pleie MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 100 | V |
| VGS | Gate-Source Spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Pulserende dreneringsstrøm | 130 | A |
| EASb | Single Pulse Avalanche Energy | 169 | mJ |
| IASb | Skredstrøm | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Total krafttap | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Total krafttap | 5.0 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25℃, JEGD=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ)d | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=10V, ID=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, JEGD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffisient | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Total portlading (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Gate-Source Charge | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(på)e | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Oppgangstid | --- | 9 | 17 | ||
| Td(av)e | Utstengingstid | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Fall tid | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Inngangskapasitans | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Utgangskapasitans | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Omvendt overføringskapasitans | --- | 42 | --- |
