WSD4280DN22 Dobbel P-kanal -15V -4,6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD4280DN22 MOSFET er -15V, strømmen er -4,6A, motstanden er 47mΩ, kanalen er Dual P-kanal, og pakken er DFN2X2-6L.
WINSOK MOSFET bruksområder
Toveis blokkering brytere; DC-DC konverteringsapplikasjoner;Li-batterilading;E-sigarett MOSFET, trådløs lading MOSFET, billading MOSFET, kontroller MOSFET, digital produkt MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
PANJIT MOSFET PJQ2815
MOSFET-parametere
Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
VDS | Drain-Source Spenning | -15 | V |
VGS | Gate-kilde spenning | ±8 | V |
ID@Tc=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS= -4,5V1 | -4.6 | A |
IDM | 300μS pulsert dreneringsstrøm, (VGS=-4,5V) | -15 | A |
PD | Effekttap Reduksjon over TA = 25 °C (merknad 2) | 1.9 | W |
TSTG,TJ | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
RθJA | Termisk motstand Junction-omgivelsestemperatur1 | 65 | ℃/W |
RθJC | Termisk motstand Junction-Case1 | 50 | ℃/W |
Elektriske egenskaper (TJ=25 ℃, med mindre annet er angitt)
Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID= -250uA | -15 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25℃, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=-4,5V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
VGS=-2,5V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
VGS=-1,8V, ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, jegD= -250uA | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffisient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Forovertranskonduktans | VDS=-5V, ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Total portlading (-4,5V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID= -4,6A | --- | 9.5 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.4 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.3 | --- | ||
Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=-10V ,VGS=-4,5V, RG=1Ω ID=-3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
Tr | Oppgangstid | --- | 16 | --- | ||
Td(av) | Utstengingstid | --- | 30 | --- | ||
Tf | Høsttid | --- | 10 | --- | ||
Ciss | Inngangskapasitans | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
Coss | Utgangskapasitans | --- | 98 | --- | ||
Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 96 | --- |