WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Dette er en magnetisk trådløs strømbank som automatisk gjenkjenner Apple-telefoner og ikke krever knappeaktivering.Den integrerer 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC inngang og utgang av hurtigladeprotokoller.Det er et trådløst strømbankprodukt som er kompatibelt med Apple/Samsung-mobiltelefonsynkrone boost/step-down-omformere, Li-batterilading, digital rørstrømindikasjon, magnetisk trådløs lading og andre funksjoner.

Modellnummer:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7,8 mΩ

ID:22A

Kanal:Dobbel N-kanal

Pakke:DFN5*6-8

Sommerlig produkt:Spenningen til WSD4098 MOSFET er 40V, strømmen er 22A, motstanden er 7,8mΩ, kanalen er Dual N-Channel, og pakken er DFN5*6-8.

Applikasjoner:E-sigaretter, trådløs lading, motorer, droner, medisinsk behandling, billadere, kontrollere, digitale produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk.

Send e-post til oss PDF

Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WSD4098DN56 er den høyeste ytelsesgrøften Dual N-Ch MOSFET med ekstrem høy celletetthet, som gir utmerket RDSON- og portlading for de fleste applikasjonene for synkrone buck-omformere.WSD4098DN56 oppfyller RoHS- og Green Product-kravet 100 % EAS-garantert med full funksjonspålitelighet godkjent.

Egenskaper

Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, Super Low Gate Charge, Utmerket CdV/dt-effektnedgang, 100 % EAS-garantert, Grønn enhet tilgjengelig

applikasjoner

Høyfrekvent belastningspunktsynkron, Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-sigaretter, trådløs lading, motorer, droner, medisinsk behandling, billadere, kontrollere, digital produkter, små husholdningsapparater, forbrukerelektronikk.

tilsvarende materialnummer

AOS AON6884

Viktige parametere

Symbol	Parameter		Vurdering	Enhet
Vanlige vurderinger
VDSS	Drain-Source Spenning		40	V
VGSS	Gate-kilde spenning		±20	V
TJ	Maksimal krysstemperatur		150	°C
TSTG	Lagringstemperaturområde		-55 til 150	°C
IS	Diode kontinuerlig fremstrøm	TA = 25°C	11.4	A
ID	Kontinuerlig dreneringsstrøm	TA = 25°C	22	A
ID	Kontinuerlig dreneringsstrøm			A
		TA = 70°C	22
I DM b	Pulsavløpsstrøm testet	TA = 25°C	88	A
PD	Maksimal effekttap	T. = 25°C	25	W
PD	Maksimal effekttap	TC=70°C	10	W
RqJL	Termisk motstand-kryss til bly	Stabil	5	°C/W
RqJA	Termisk motstand-kryss til omgivelsene	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Termisk motstand-kryss til omgivelsene	Steady State b	90	°C/W
I AS d	Skredstrøm, Enkel puls	L=0,5mH	28	A
E AS d	Skredenergi, Enkel puls	L=0,5mH	39,2	mJ

Symbol	Parameter	Testbetingelser		Min.	Typ.	Maks.	Enhet
Statiske egenskaper
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Nullportspenning Drain Current	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Nullportspenning Drain Current						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	Gateterskelspenning	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Gatelekkasjestrøm	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Drain-Source On-State Resistance	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Drain-Source On-State Resistance	VGS=4,5V, IDS=12 A		-	9,0	11	m W
Diodeegenskaper
V SD e	Diode fremoverspenning	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Omvendt gjenopprettingstid	ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Reverse Recovery Charge	ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs		-	13	-	nC
Dynamiske egenskaper f
RG	Portmotstand	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Inngangskapasitans	VGS=0V, VDS=20V, Frekvens=1,0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Utgangskapasitans			-	317	-
Crss	Omvendt overføringskapasitans			-	96	-
td(ON)	Slå på forsinkelsestid	VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Slå på stigetid			-	8	-
td( AV)	Utstengingstid			-	30	-
tf	Slå av høsttid			-	21	-
Portladingsegenskaper f
Qg	Total portlading	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Total portlading	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Terskelportlading			-	2.6	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	4.7	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-