WSD4076DN56 N-kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSD4076DN56 N-kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Delenummer:WSD4076DN56

BVDS:40V

ID:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Søknad

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD4076DN56 MOSFET er 40V, strømmen er 76A, motstanden er 6,9mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

Små apparater MOSFET, håndholdte apparater MOSFET, motorer MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Halvleder MOSFET PDC496X.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

40

V

VGS

Gate-Source Spenning

±20

V

ID@TC=25

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V

33

A

IDM

Pulserende dreneringsstrøma

125

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energyb

31

mJ

IAS

Skredstrøm

31

A

PD@Ta=25

Total krafttap

1.7

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftskryss temperaturområde

-55 til 150

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeffisient Referanse til 25, jegD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V, ID=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=4,5V , ID=10A

---

10

15

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, jegD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forovertranskonduktans VDS=5V, ID=20A

---

18

---

S

Rg

Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Total portlading (10V) VDS=20V, VGS=4,5V, ID=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

3.0

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

1.2

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, jegD=1A.

---

12

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

5.6

---

Td(av)

Utstengingstid

---

20

---

Tf

Høsttid

---

11

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

185

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

38

---


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss