WSD40190DN56G N-kanal 40V 190A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD40120DN56G MOSFET er 40V, strømmen er 120A, motstanden er 1,4mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, droner MOSFET, medisinsk omsorg MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Halvleder MOSFET PDC496X.
MOSFET-parametere
Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
VDS | Drain-Source Spenning | 40 | V |
VGS | Gate-Source Spenning | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1 | 120 | A |
ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1 | 82 | A |
IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 400 | A |
EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 400 | mJ |
IAS | Skredstrøm | 40 | A |
PD@TC=25℃ | Total krafttap4 | 125 | W |
TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
△BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffisient | Referanse til 25℃, jegD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=4,5V , ID=20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, jegD=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffisient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 53 | --- | S |
Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qg | Total portlading (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 45 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 18.5 | --- | ||
Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=15V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, jegD=20A,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
Tr | Oppgangstid | --- | 9 | --- | ||
Td(av) | Utstengingstid | --- | 58,5 | --- | ||
Tf | Høsttid | --- | 32 | --- | ||
Ciss | Inngangskapasitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
Coss | Utgangskapasitans | --- | 1119 | --- | ||
Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 82 | --- |