WSD4018DN22 P-kanal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

Produkter

WSD4018DN22 P-kanal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Delenummer:WSD4018DN22

BVDS:-40V

ID:-18A

RDSON:26mΩ 

Kanal:P-kanal

Pakke:DFN2X2-6L


Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD4018DN22 MOSFET er -40V, strømmen er -18A, motstanden er 26mΩ, kanalen er P-kanal, og pakken er DFN2X2-6L.

WINSOK MOSFET bruksområder

Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, Super Low Gate Charge, Utmerket Cdv/dt-effektnedgang Grønn enhet tilgjengelig, ansiktsgjenkjenningsutstyr MOSFET, e-sigarett MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, billader MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

-40

V

VGS

Gate-kilde spenning

±20

V

ID@Tc=25℃

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc=70℃

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ -10V1

-14.6

A

IDM

300μS pulsert dreneringsstrøm,VGS= -4,5V2

54

A

PD@Tc=25℃

Total krafttap3

19

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftskryss temperaturområde

-55 til 150

Elektriske egenskaper (TJ=25 ℃, med mindre annet er angitt)

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID= -250uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

BVDSS temperaturkoeffisient Referanse til 25℃, ID=-1mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=-10V, ID= -8,0A

---

26

34

VGS=-4,5V, ID= -6,0A

---

31

42

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, JEGD= -250uA

-1,0

-1,5

-3,0

V

△VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=-40V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-40V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Total portlading (-4,5V) VDS=-20V, VGS=-10V, ID= -1,5A

---

27

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

2.5

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

6.7

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=-20V, VGS=-10V ,RG=3Ω, RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

11

---

Td(av)

Utstengingstid

---

54

---

Tf

Fall tid

---

7.1

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz

---

1560

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

116

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

97

---


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss