WSD40120DN56G N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD40120DN56G N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Delenummer:WSD40120DN56G

BVDS:40V

ID:120A

RDSON:1,4 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD40120DN56G MOSFET er 40V, strømmen er 120A, motstanden er 1,4mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, droner MOSFET, medisinsk omsorg MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Halvleder MOSFET PDC496X.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

40

V

VGS

Gate-Source Spenning

±20

V

ID@TC=25

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1

82

A

IDM

Pulserende dreneringsstrøm2

400

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

400

mJ

IAS

Skredstrøm

40

A

PD@TC=25

Total krafttap4

125

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftskryss temperaturområde

-55 til 150

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeffisient Referanse til 25, JEGD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V, ID=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=4,5V , ID=20A

---

2.0

2.6

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, JEGD=250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forovertranskonduktans VDS=5V, ID=20A

---

53

---

S

Rg

Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Total portlading (10V) VDS=15V, VGS=10V, ID=20A

---

45

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

12

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

18.5

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, JEGD=20A,RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

9

---

Td(av)

Utstengingstid

---

58,5

---

Tf

Fall tid

---

32

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 3972 ---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

1119 ---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

82

---

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss