WSD40120DN56 N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD40120DN56 MOSFET er 40V, strømmen er 120A, motstanden er 1,85mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, droner MOSFET, medisinsk omsorg MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET.PH48PJ MOSFET.PH48J MOSFET.PH48PJ. 544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Halvleder MOSFET PDC496X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 400 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 240 | mJ |
| IAS | Skredstrøm | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Total krafttap4 | 104 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffisient | Referanse til 25℃, JEGD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=10V, ID=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=4,5V , ID=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, JEGD=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffisient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Total portlading (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, JEGD=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 10 | 12 | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Fall tid | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 370 | --- |
