WSD40110DN56G N-kanal 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD40110DN56G N-kanal 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Delenummer:WSD40110DN56G

BVDS:40V

ID:110A

RDSON:2,5 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD4080DN56 MOSFET er 40V, strømmen er 85A, motstanden er 4,5mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

Små apparater MOSFET, håndholdte apparater MOSFET, motorer MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

40

V

VGS

Gate-Source Spenning

±20

V

ID@TC=25℃

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC=100℃

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Pulserende dreneringsstrøm2

100

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

110,5

mJ

IAS

Skredstrøm

47

A

PD@TC=25℃

Total krafttap4

52.1

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftskryss temperaturområde

-55 til 150

RθJA

Termisk motstand Junction-Ambient1

62

/W

RθJC

Termisk motstand Junction-Case1

2.4

/W

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V , ID=10A

---

4.5

6.5

VGS=4,5V, ID=5A

---

6.4

8.5

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS , ID =250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forovertranskonduktans VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

Total portlading (4,5V) VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

5.8

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

9.5

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V, VGS=10V RG=3,3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

8.8

---

Td(av)

Utstengingstid

---

74

---

Tf

Fall tid

---

7

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

2354

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

215

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

175

---

IS

Kontinuerlig kildestrøm1,5 VG=VD=0V , kraftstrøm

---

---

70

A

VSD

Diode fremoverspenning2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25

---

---

1

V


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss